[發明專利]薄膜的形成方法和成膜裝置

有效

• 申請號: 201210371168.4
• 申請日: 2012-09-28
• 公開（公告）號: CN103031530A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發明（設計）人: 柿本明修;遠藤篤史;宮原孝廣;中島滋;高木聰;五十嵐一將
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: C23C16/24
• 分類號: C23C16/24;C30B25/02;C30B29/06;H01L21/02;H01L21/67
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

1.一種薄膜的形成方法，其用于在能夠進行真空排氣的處理容器內在被處理體的表面上形成晶種膜和含雜質的硅膜，其特征在于，

該薄膜的形成方法具有以下步驟：

第1步驟，向上述處理容器內供給由氨基硅烷類氣體和高級硅烷之中的至少任一種氣體構成的晶種膜用原料氣體而在上述被處理體的表面上形成上述晶種膜；以及

第2步驟，向上述處理容器內供給硅烷類氣體和含雜質氣體而形成非晶態的上述含雜質的硅膜。

2.根據權利要求1所述的薄膜的形成方法，其特征在于，

在上述第2步驟中，交替地重復進行第1氣體供給工序和第2氣體供給工序，在該第1氣體供給工序中以硅烷類氣體吸附在上述被處理體的表面上的狀態向上述處理容器內供給該硅烷類氣體，在該第2氣體供給工序中向上述處理容器內供給含雜質氣體。

3.根據權利要求1所述的薄膜的形成方法，其特征在于，

在上述第2步驟中，向上述處理容器內同時供給上述硅烷類氣體和上述含雜質氣體。

4.根據權利要求1所述的薄膜的形成方法，其特征在于，上述硅膜的厚度為1nm～100nm。

5.一種薄膜的形成方法，其用于在能夠進行真空排氣的處理容器內在被處理體的表面上形成晶種膜和硅鍺膜，其特征在于，

該薄膜的形成方法具有以下步驟：

第1步驟，向上述處理容器內供給由氨基硅烷類氣體和高級硅烷之中的至少任一種氣體構成的晶種膜用原料氣體而在上述被處理體的表面上形成上述晶種膜；以及

第2步驟，向上述處理容器內供給硅烷類氣體和含鍺氣體而形成上述硅鍺膜。

6.根據權利要求5所述的薄膜的形成方法，其特征在于，

在上述第2步驟中，為了使上述硅鍺膜含有雜質而使用含雜質氣體。

7.根據權利要求6所述的薄膜的形成方法，其特征在于，

在上述第2步驟中，交替地重復進行第1氣體供給工序和第2氣體供給工序，在該第1氣體供給工序中以上述硅烷類氣體和上述含鍺氣體吸附在上述被處理體的表面上的狀態向上述處理容器內供給上述硅烷類氣體和上述含鍺氣體，在該第2氣體供給工序中向上述處理容器內供給含雜質氣體。

8.根據權利要求6所述的薄膜的形成方法，其特征在于，

在上述第2步驟中，向上述處理容器內同時供給上述硅烷類氣體、上述含鍺氣體以及上述含雜質氣體。

9.根據權利要求5所述的薄膜的形成方法，其特征在于，

上述含鍺氣體由從甲鍺烷和Ge₂H₆組成的組中選擇的1種以上的氣體構成。

10.根據權利要求5所述的薄膜的形成方法，其特征在于，

上述硅鍺膜的厚度為1nm～100nm。

11.根據權利要求1所述的薄膜的形成方法，其特征在于，

上述第1步驟的工藝溫度在25℃～550℃的范圍內。

12.根據權利要求1所述的薄膜的形成方法，其特征在于，

上述第1步驟的工藝溫度和上述第2步驟的工藝溫度設定得相同。

13.根據權利要求1所述的薄膜的形成方法，其特征在于，

將上述氨基硅烷類氣體和上述高級硅烷用作上述第1步驟中的晶種膜用原料氣體。

14.根據權利要求13所述的薄膜的形成方法，其特征在于，

在上述第1步驟中，最先使上述氨基硅烷類氣體流動，接著使上述高級硅烷流動。

15.根據權利要求13所述的薄膜的形成方法，其特征在于，

在上述第1步驟中，將由最先使上述氨基硅烷類氣體流動的工序和接著使上述高級硅烷流動的工序構成的1個序列進行多次。

16.根據權利要求13所述的薄膜的形成方法，其特征在于，

在上述第1步驟中，同時使上述氨基硅烷類氣體和上述高級硅烷流動。

17.根據權利要求2所述的薄膜的形成方法，其特征在于，

上述第1氣體供給工序的工藝溫度和第2氣體供給工序的工藝溫度分別在350℃～600℃的范圍內。