[實用新型]GIL設備單元特高頻信號衰減量測試平臺

有效

• 申請號: 201921623997.0
• 申請日: 2019-09-26
• 公開（公告）號: CN211698050U
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發明（設計）人: 黎衛國;黃大為;張長虹;楊旭;黃忠康;楚金偉
• 申請（專利權）人: 中國南方電網有限責任公司超高壓輸電公司檢修試驗中心
• 主分類號: G01R31/12
• 分類號: G01R31/12;G01R19/00
• 代理公司: 廣州科粵專利商標代理有限公司 44001
• 代理人: 黃培智;王家鳴

本實用新型公開了一種GIL設備單元特高頻信號衰減量測試平臺，包括若干形態試驗單元、特高脈沖信號發生器和局部放電監測系統；形態試驗單元包括第一直筒I型形態試驗單元、L型形態試驗單元、T型形態試驗單元、第二直筒I型形態試驗單元；形態試驗單元包括GIL單元，GIL單元中的母線筒外殼設置有內置式特高頻局部放電傳感器；本測試平臺的特高脈沖信號發生器按需接入形態試驗單元的內置式特高頻局部放電傳感器，通過局部放電監測系統記錄各形態試驗單元的內置式特高頻局部放電傳感器的輸出響應并保存圖譜信息。本裝置可根據試驗結果獲得特高頻信號的衰減量，合理制定出現場傳感器的布置原則，可有效提高內置式特高頻局部放電傳感器的預警能力。

技術領域

本實用新型涉及變電技術領領域，尤其涉及一種GIL設備單元特高頻信號衰減量測試平臺。

背景技術

GIL設備具有輸送容量大、傳輸損耗小、部件模塊化、環境友好、適用于復雜地形等優點，GIL設備得到廣泛應用。由于GIL設備采用全金屬封閉結構，無法利用外置式超/特高頻局放檢測法掌握GIL設備的絕緣狀態。采用內置式超/特高頻局放檢測法是現場判斷GIL設備絕緣狀態的重要手段，但目前缺少GIL設備內置式超/特高頻局放傳感器的布置原則，局放廠家及設計運行單位均無法掌握特高頻信號在GIL設備的衰減量，目前，現場存在GIL設備內置式傳感器布置不合理導致傳感器無法檢測故障信號的問題。

實用新型內容

本實用新型的目的是克服上述現有技術的不足，提供一種GIL設備單元特高頻信號衰減量測試平臺。

本實用新型是通過以下技術方案來實現的：GIL設備單元特高頻信號衰減量測試平臺，包括若干形態試驗單元、特高脈沖信號發生器和局部放電監測系統；所述形態試驗單元包括第一直筒I型形態試驗單元、L型形態試驗單元、T型形態試驗單元、第二直筒I型形態試驗單元；所述第一直筒I型形態試驗單元、L型形態試驗單元、T型形態試驗單元三個形態試驗單元中，每個形態試驗單元包括3個GIL單元，分別為依次連接的第一GIL單元、第二GIL單元和第三GIL單元；每個GIL單元包括母線筒、GIL導電桿、三支柱絕緣子和觸頭座配件，所述GIL導電桿位于所述母線筒內，所述三支柱絕緣子安裝在所述GIL導電桿上，所述GIL導電桿一端安裝有觸頭座配件，GIL導電桿另一端的端部安裝在相鄰的觸頭座配件上；所述第一GIL單元中的母線筒外殼設置有第一內置式特高頻局部放電傳感器和第二內置式特高頻局部放電傳感器，所述第一內置式特高頻局部放電傳感器與所述特高脈沖信號發生器連接作為信號注入源；所述第二GIL單元中的母線筒外殼設置有第三內置式特高頻局部放電傳感器；所述第三GIL單元中的母線筒外殼設置有第四內置式特高頻局部放電傳感器；所述第二直筒I型形態試驗單元包括母線筒和設置在母線筒外殼的第五內置式特高頻局部放電傳感器；本測試平臺的特高脈沖信號發生器按需先后接入形態試驗單元的所述第一內置式特高頻局部放電傳感器或所述第五內置式特高頻局部放電傳感器，通過所述局部放電監測系統記錄各形態試驗單元的內置式特高頻局部放電傳感器的輸出響應并保存圖譜信息。

所述第一直筒I型形態試驗單元中，所述第二GIL單元與所述第三GIL單元之間通過母線筒的法蘭處設置有盆式絕緣子。此結構的設置，便于開展特高頻信號經過盆式絕緣子衰減量的測量。

所述L型形態試驗單元還包括轉角單元，所述轉角單元內部設有L型導電桿及觸頭座配件，所述轉角單元安裝于所述第一GIL單元與所述第二GIL單元之間；所述L型導電桿一端通過所述觸頭座配件與所述第一GIL單元中的GIL導電桿相接，所述L型導電桿另一端通過所述觸頭座配件與所述第二GIL單元中的GIL導電桿相接。此結構的設置，便于開展特高頻信號經過一個轉角單元衰減量的測量。

所述T型形態試驗單元還包括三通單元，所述三通單元內部設有T型導電桿及觸頭座配件，所述三通單元的三個端口分別與所述第一GIL單元、所述第二GIL單元、所述第三GIL單元相連；所述T型導電桿的三端分別通過所述觸頭座配件與三個GIL導電桿相接。此結構的設置，便于開展特高頻信號經過一個三通單元衰減量的測量。