[實(shí)用新型]一種半導(dǎo)體設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201921572824.0
• 申請日: 2019-09-20
• 公開（公告）號(hào): CN211445885U
• 公開（公告）日: 2020-09-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林信南;游宗龍;劉美華;李方華;児玉晃;板垣克則
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市晶相技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/35
• 分類號(hào): C23C14/35;C23C14/54
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219
• 代理人: 王華英

本實(shí)用新型提出一種半導(dǎo)體設(shè)備，包括：生長腔體；基座，設(shè)置在所述生長腔體內(nèi)，所述基座允許放置基板；靶材，設(shè)置在所述生長腔體內(nèi)；磁體，設(shè)置在所述靶材的相對的位置上；其中，所述基座包括：一加熱器，設(shè)置在所述基座上；一測溫裝置，包括多個(gè)測溫點(diǎn)，所述多個(gè)測溫點(diǎn)分別設(shè)置在所述基座上。本實(shí)用新型提出的半導(dǎo)體設(shè)備設(shè)計(jì)合理，結(jié)構(gòu)簡單，可提高鍍膜的質(zhì)量。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，特別涉及一種半導(dǎo)體設(shè)備。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體工業(yè)集成電路制造行業(yè)中，多采用磁控濺射(Magnetron Sputtering)技術(shù)，主要用于鋁、銅等金屬薄膜的沉積，以構(gòu)成金屬接觸、金屬互連線等。

工藝中，磁控濺射過程可為：工藝腔室中的電子在電場作用下向基片運(yùn)動(dòng)，在飛向基片的過程中與氬原子碰撞，使氬原子電離得到帶正電的氬離子和二次電子；其中，氬離子向具有負(fù)電勢的靶材方向加速運(yùn)動(dòng)的過程中獲得動(dòng)量，轟擊靶材使靶材發(fā)生濺射，以生成濺射粒子；二次電子在電場和外加磁鐵產(chǎn)生的磁場的作用下，其運(yùn)動(dòng)軌跡近似于一條擺線，二次電子在沿其軌跡運(yùn)動(dòng)的過程中繼續(xù)碰撞氬原子以電離得到新的氬離子和新的二次電子；再者，氬離子轟擊靶材所生成濺射粒子中的中性靶材原子或分子遷移到硅片表面，并通過沉積的方式在硅片表面凝聚以形成薄膜，該薄膜具有和靶材基本相同的組份；且在由氬離子轟擊靶材時(shí)所產(chǎn)生的尾氣或其它雜質(zhì)可由真空泵抽走。

但是在上述工藝中，在實(shí)際應(yīng)用中會(huì)存在以下問題：直接濺射完成后薄膜的均勻性較差，使得在下一步的工藝中還需要后續(xù)處理，工藝過程繁瑣。

實(shí)用新型內(nèi)容

鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本實(shí)用新型提出一種半導(dǎo)體設(shè)備，以提高鍍膜的均勻性，提高鍍膜的質(zhì)量，提高工作效率。

為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他目的，本實(shí)用新型提出一種半導(dǎo)體設(shè)備，該半導(dǎo)體設(shè)備包括：

生長腔體；

基座，設(shè)置在所述生長腔體內(nèi)，所述基座允許放置基板；

靶材，設(shè)置在所述生長腔體內(nèi)；

磁體，設(shè)置在所述靶材的相對的位置上；

其中，所述基座包括：

一加熱器，設(shè)置在所述基座上；

一測溫裝置，包括多個(gè)測溫點(diǎn)，所述多個(gè)測溫點(diǎn)分別設(shè)置在所述基座上。

在一實(shí)施例中，所述加熱器包括多個(gè)加熱電極及加熱線圈，所述多個(gè)加熱電極連接所述加熱線圈。

在一實(shí)施例中，所述多個(gè)加熱電極分別設(shè)置在所述基座的四周。

在一實(shí)施例中，所述加熱線圈包括第一部分及第二部分，所述第一部分及所述第二部分關(guān)于所述加熱線圈的中心對稱連接。

在一實(shí)施例中，所述第一部分從外至內(nèi)依次包括第一弧邊，第二弧邊及第三弧邊。

在一實(shí)施例中，所述第一弧邊的一端連接所述第二弧邊的一端，所述第二弧邊的另一端連接所述第三弧邊。

在一實(shí)施例中，所述第一弧邊的另一端連接所述加熱電極。

在一實(shí)施例中，所述第一部分通過所述第三弧邊連接所述第二部分。

在一實(shí)施例中，所述多個(gè)測溫點(diǎn)靠近所述多個(gè)加熱電極。

在一實(shí)施例中，所述加熱器及多個(gè)測溫點(diǎn)設(shè)置在所述基座的一面上，所述基板設(shè)置在所述基座的另一面上。

綜上所述，本實(shí)用新型提出一種半導(dǎo)體設(shè)備，通過在基座上設(shè)置一加熱器，使得對基座進(jìn)行均勻加熱，然后通過測溫裝置對基座的多個(gè)位置進(jìn)行實(shí)時(shí)測溫，有效控制基座上各位置上的溫度變化，從而使得基座及基座上的基板處于溫度均勻的狀態(tài)下，有利于濺射離子在基板上沉積，有利于提高鍍膜的均勻性，提高工作效率。