[實(shí)用新型]一種基于印刷線路板的鈣鈦礦電致發(fā)光器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201921475015.8
• 申請日: 2019-09-04
• 公開（公告）號: CN210805825U
• 公開（公告）日: 2020-06-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曹凱;李宗濤;湯勇;唐雪婷;伍科健;余彬海;丁鑫銳
• 申請（專利權(quán)）人: 華南理工大學(xué)
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 廣州市華學(xué)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44245
• 代理人: 林梅繁

本實(shí)用新型屬于發(fā)光器件技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種基于印刷線路板的鈣鈦礦電致發(fā)光器件。一種基于印刷線路板的鈣鈦礦電致發(fā)光器件，包括：依次設(shè)置的印刷線路板、負(fù)極、電子傳輸層、鈣鈦礦發(fā)光層、空穴傳輸層、正極和玻璃封裝層，印刷線路板上預(yù)留有發(fā)光區(qū)域，在發(fā)光區(qū)域上制備有負(fù)極、電子傳輸層、鈣鈦礦發(fā)光層、空穴傳輸層和正極，發(fā)光區(qū)域四周包覆有絕緣保護(hù)層和紫外固化膠層，玻璃封裝層與印刷線路板正極連接。本實(shí)用新型的發(fā)光器件采用印刷線路板作為鈣鈦礦電致發(fā)光器件的襯底，節(jié)約了生產(chǎn)成本，具有生產(chǎn)成本低的特點(diǎn)。本實(shí)用新型的發(fā)光器件將器件的制備過程和安裝過程合二為一，減少了生產(chǎn)環(huán)節(jié)，提高了生產(chǎn)效率。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型屬于發(fā)光器件技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種基于印刷線路板的鈣鈦礦電致發(fā)光器件。

背景技術(shù)

自2014年Richard H.Friend課題組首次報道了有機(jī)無機(jī)雜化的鈣鈦礦電致發(fā)光二極管(perovskite light emitting diodes，PeLED)以來，鈣鈦礦LED在亮度、發(fā)光效率和穩(wěn)定性等方面的研究取得了多突破性的進(jìn)展，其中綠色鈣鈦礦由于其自身具有較好的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性被廣泛研究。隨著研究的深入，具有高亮度、高效率的藍(lán)光鈣鈦礦LED和白光鈣鈦礦LED也相繼問世。五年內(nèi)，鈣鈦礦LED的外量子效率(external quantum efficiency，EQE)由最初的0.1％提升至20％，發(fā)光效率更是達(dá)到了驚人的69lm/W，接近商用硅基LED的水平。以上研究表明，鈣鈦礦LED在光電器件領(lǐng)域具有極佳的應(yīng)用前景。

與OLED類似，鈣鈦礦LED器件具有層層疊加的“三明治結(jié)構(gòu)”，從上到下依次為負(fù)極、電子傳輸層、鈣鈦礦發(fā)光層、空穴傳輸層、正極，其中負(fù)極材料多為不透光的高功函數(shù)金屬材料(鋁、銀、金等)，因而絕大部分鈣鈦礦器件具有單面出光的特點(diǎn)。通常，研究人員在正極一側(cè)采用透明導(dǎo)電玻璃基板與透明傳輸材料的組合來同時獲得良好的電荷傳輸能力和透光率要求。然而，采用透明導(dǎo)電玻璃作為基底所制備的鈣鈦礦LED器件，難以與其他電子元件配合使用，不利于鈣鈦礦LED器件的規(guī)模化生產(chǎn)。

實(shí)用新型內(nèi)容

為了降低生產(chǎn)成本，提高生產(chǎn)效率，降低鈣鈦礦LED器件與其他電子元件的集成難度，本實(shí)用新型提供一種基于印刷線路板的鈣鈦礦電致發(fā)光器件，采用印刷線路板作為鈣鈦礦LED的襯底，直接在印刷線路板上制備鈣鈦礦LED器件。

本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：

一種基于印刷線路板的鈣鈦礦電致發(fā)光器件，包括：依次設(shè)置的印刷線路板、負(fù)極、電子傳輸層、鈣鈦礦發(fā)光層、空穴傳輸層、正極和玻璃封裝層，印刷線路板上預(yù)留有發(fā)光區(qū)域，在發(fā)光區(qū)域上制備有負(fù)極、電子傳輸層、鈣鈦礦發(fā)光層、空穴傳輸層和正極，發(fā)光區(qū)域四周包覆有絕緣保護(hù)層和紫外固化膠層，玻璃封裝層與印刷線路板正極連接。

優(yōu)選地，所述負(fù)極厚度為100nm-1μm。

優(yōu)選地，所述電子傳輸層的厚度為25nm-50nm。

優(yōu)選地，所述鈣鈦礦發(fā)光層厚度范圍為50nm-3μm。

優(yōu)選地，所述空穴傳輸層厚度范圍為25nm-50nm。

優(yōu)選地，所述正極的厚度范圍為100nm-400nm。

優(yōu)選地，所述絕緣層的厚度為300nm-4.5μm，寬度范圍為0.5cm-2cm。

優(yōu)選地，所述基于印刷線路板的鈣鈦礦電致發(fā)光器件包括基于印刷線路板的鈣鈦礦電致發(fā)光綠光器件和基于印刷線路板的鈣鈦礦電致發(fā)光RGB器件。

優(yōu)選地，所述基于印刷線路板的鈣鈦礦電致發(fā)光RGB器件在印刷線路板包括紅色、綠色和藍(lán)色三種鈣鈦礦LED，R、G、B的正極與印刷線路板正極連接，R、G、B的負(fù)極與印刷線路板負(fù)極連接。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有如下優(yōu)點(diǎn)和有益效果：