[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510055472.1
• 申請(qǐng)日: 2015-02-03
• 公開（公告）號(hào): CN104835834A
• 公開（公告）日: 2015-08-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 上杉勉;加地徹;菊田大悟;成田哲生
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社豐田中央研究所
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06
• 代理公司: 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219
• 代理人: 李蘭;孫志湧

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

半導(dǎo)體層疊體；

布置在所述半導(dǎo)體層疊體上的漏電極；

布置在所述半導(dǎo)體層疊體上并且被定位為與所述漏電極分開的源電極；以及

布置在所述半導(dǎo)體層疊體上并且被定位在所述漏電極和所述源電極之間的絕緣柵，

其中

所述半導(dǎo)體層疊體包括：

第一半導(dǎo)體層；以及

第二半導(dǎo)體層，所述第二半導(dǎo)體層布置在所述第一半導(dǎo)體層上并且具有與所述第一半導(dǎo)體層的帶隙不同的帶隙，

在所述漏電極和所述絕緣柵之間的區(qū)域中，二維電子氣層被配置成產(chǎn)生在所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層之間的異質(zhì)結(jié)處，并且

所述絕緣柵的一部分被配置成面對(duì)與所述源電極具有相同電位的部分。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中

所述半導(dǎo)體層疊體還包括電連接到所述源電極的n型的源區(qū)，并且

與所述源電極具有相同電位的所述部分是所述源區(qū)的至少一部分。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中

所述絕緣柵是凹槽型的，其穿透所述第二半導(dǎo)體層并且到達(dá)所述第一半導(dǎo)體層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中

所述源區(qū)與所述凹槽型的絕緣柵的側(cè)表面相接觸。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中

與所述源電極具有相同電位的所述部分是所述源電極的至少一部分。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其中

所述絕緣柵是凹槽型的，其穿透所述第二半導(dǎo)體層并且到達(dá)所述第一半導(dǎo)體層。