[實用新型]一種增強型AlN/AlGaN/GaN HEMT器件

有效

• 申請號: 201921418007.X
• 申請日: 2019-08-29
• 公開（公告）號: CN210429824U
• 公開（公告）日: 2020-04-28
• 發明（設計）人: 李國強;孫佩椰;陳丁波;萬利軍;闕顯灃;姚書南
• 申請（專利權）人: 華南理工大學
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/20;H01L29/423;H01L29/51;H01L29/778;H01L21/28;H01L21/335
• 代理公司: 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245
• 代理人: 羅嘯秋

1.一種增強型AlN/AlGaN/GaN HEMT器件，其特征在于：所述器件包括：襯底、GaN溝道層、AlGaN超薄勢壘層、非晶SiO₂層、單晶AlN層、漏金屬電極、源金屬電極和柵金屬電極，其中：

所述襯底、GaN溝道層和AlGaN超薄勢壘層由下至上依次層疊；

所述非晶SiO₂層覆蓋在AlGaN超薄勢壘層上表面的部分區域；

所述漏金屬電極和源金屬電極分別位于AlGaN超薄勢壘層上表面未被非晶SiO₂層覆蓋的兩側區域，漏金屬電極和源金屬電極與AlGaN超薄勢壘層之間形成歐姆接觸；

所述單晶AlN層覆蓋在AlGaN超薄勢壘層上表面未被源漏金屬電極覆蓋的區域，并覆蓋非晶SiO₂層；

所述柵金屬電極位于非晶SiO₂層上方單晶AlN層的上表面，柵金屬電極與AlGaN超薄勢壘層之間形成肖特基接觸。

2.根據權利要求1所述的一種增強型AlN/AlGaN/GaN HEMT器件，其特征在于：所述襯底為硅襯底。

3.根據權利要求1所述的一種增強型AlN/AlGaN/GaN HEMT器件，其特征在于：所述GaN溝道層的厚度為1～5μm；所述非晶SiO₂層的厚度為5～15nm；所述單晶AlN層的厚度為15～25nm。

4.根據權利要求1所述的一種增強型AlN/AlGaN/GaN HEMT器件，其特征在于：所述AlGaN超薄勢壘層的厚度為5～7nm，Al元素的摩爾含量為25％～30％。

5.根據權利要求1所述的一種增強型AlN/AlGaN/GaN HEMT器件，其特征在于：所述漏金屬電極和源金屬電極的材料由Ti、Al、Ni、Au四層金屬組成；所述柵金屬電極的材料由Ni、Au兩層金屬組成。

6.根據權利要求1所述的一種增強型AlN/AlGaN/GaN HEMT器件，其特征在于：所述柵金屬電極位于靠近源金屬電極的一側。