[實用新型]一種OLED面板有效
| 申請號: | 201921363306.8 | 申請日: | 2019-08-21 |
| 公開(公告)號: | CN210182389U | 公開(公告)日: | 2020-03-24 |
| 發明(設計)人: | 陳宇懷 | 申請(專利權)人: | 福建華佳彩有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 福州市景弘專利代理事務所(普通合伙) 35219 | 代理人: | 林祥翔;郭鵬飛 |
| 地址: | 351100 福*** | 國省代碼: | 福建;35 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 oled 面板 | ||
一種OLED面板及制作方法,其中方法包括如下步驟,準備基板,在基板上先后成膜第一導電膜層及柵極層,在電容區蝕刻所有柵極金屬,在薄膜晶體管區保留柵極金屬及第一導電膜層,在其他區域根據圖案化需要蝕刻柵極金屬及導電膜層;隨后進行步驟,制作柵極絕緣層,在薄膜晶體管區制作有源層,再制作蝕刻阻擋層并留出過孔,先后成膜第二導電膜層及電極層,在電容區蝕刻所有電極金屬,在薄膜晶體管區保留源漏極和第二導電膜層,所述源漏極通過第二導電膜層與有源層接觸。本實用新型通過成膜透明導電膜以及金屬膜層,并結合灰階光罩,在畫素電容區僅保留透明導電膜,使得面板金屬膜層的面積進一步減少,增加面板的透光性。
技術領域
本實用新型涉及新的OLED的面板設計,尤其涉及一種增加透光率的透明OLED面板設計。
背景技術
隨著顯示技術的日益發展,各種新型技術不斷涌現,透明顯示技術因其透明的顯示面板這一特性及其獨特的應用,越來越受到人們的關注。
透明顯示技術的核心是透明顯示面板,透明顯示板是一種能夠顯示圖像的透明面板,它與雙面顯示板不同,雙面顯示板是一種能夠在顯示面板兩側同時顯示圖像的顯示器件。而透明顯示板在關閉時,面板就仿佛一塊透明玻璃,當其工作時,觀看者不僅能夠觀看到在面板上顯示的內容,同時還能透過面板觀看到面板后的物體。
近幾年,研究人員對透明顯示技術做了大量研究,嘗試了各種不同的顯示技術,如液晶顯示技術、有機發光二極管顯示技術、等離子體顯示技術等。總體來說,透明顯示技術可以根據顯示器的不同分為兩種。對于液晶顯示器這種非自發光的顯示器件,透明顯示技術主要是利用外界光或者進行背光源的重排來達到透明顯示;而對于OLED、PDP這種自發光顯示器件,透明顯示技術主要指通過技術改進采用透明度高的材料替代或者去除原來器件中不透明的部分,不斷提高器件的整體透明度以實現透明顯示。
發明內容
因此,需要提供一種新的OLED面板結構設計,達到改進電容區的透光率更多的提高產品透明度的技術效果。
為實現上述目的,發明人提供了一種OLED面板,包括薄膜晶體管區和電容區,所述電容區包括電容極板,所述電容區不包括金屬層,所述電容極板與薄膜晶體管區的電極層連接,所述電容極板為透明導電膜層。
具體地,所述電容極板間包括柵極絕緣層或蝕刻阻擋層。
具體地,所述電容區包括由下至上設置的基板、電容下極板、柵極絕緣層、蝕刻阻擋層、電容上極板、鈍化層、平坦層。
進一步地,所述薄膜晶體管區包括由下至上設置的基板、第一導電膜層、柵極層、柵極絕緣層、有源層、第二導電膜層、蝕刻阻擋層、源漏極層、鈍化層、平坦層。
本實用新型通過成膜透明導電膜以及金屬膜層,并結合灰階光罩,在畫素電容區僅保留透明導電膜,使得面板金屬膜層的面積進一步減少,增加面板的透光性。
附圖說明
圖1為具體實施方式所述的OLED面板的截面示意圖;
圖2為具體實施方式所述的現有技術與本方案對比示意圖;
圖3為具體實施方式所述的像素設計示意圖;
圖4為具體實施方式所述的陣列基板的具體結構示意圖;
圖5為具體實施方式所述的面板制作流程示意圖;
圖6為具體實施方式所述的透明電容極板的實施方案;
圖7為具體實施方式所述的一種陣列基板的結構示意圖;
圖8為具體實施方式所述的一種陣列基板的結構示意圖;
圖9為具體實施方式所述的面板的制作流程。
具體實施方式
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于福建華佳彩有限公司,未經福建華佳彩有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201921363306.8/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種投影角度可調的投影儀結構
- 下一篇:一種有效期提醒裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





