[實用新型]磁存儲器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201921309034.3 | 申請日： | 2019-08-13 |
| 公開（公告）號： | CN210110841U | 公開（公告）日： | 2020-02-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 黃嘉曄;俞文杰;劉強 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海新微技術(shù)研發(fā)中心有限公司 |
| 主分類號： | H01L43/08 | 分類號： | H01L43/08;H01L43/10;H01L27/22 |
| 代理公司： | 蘇州國卓知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32331 | 代理人： | 明志會 |
| 地址： | 201800 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 磁存儲器 | ||
1.一種磁存儲器件，包括
固定層、通道隔離層、自由層；
所述通道隔離層位于所述固定層和所述自由層之間；
其特征在于，
還包括非磁性結(jié)構(gòu)，所述非磁性結(jié)構(gòu)位于所述自由層中，所述非磁性結(jié)構(gòu)與所述自由層的材料不同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁存儲器件，其特征在于，所述自由層具有相對的第一面和第二面，所述第二面較所述第一面遠離所述通道隔離層，所述非磁性結(jié)構(gòu)位于所述第二面表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁存儲器件，其特征在于，所述非磁性結(jié)構(gòu)為非中心對稱結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁存儲器件，其特征在于，所述非磁性結(jié)構(gòu)為環(huán)狀或帶狀。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁存儲器件，其特征在于，所述非磁性結(jié)構(gòu)貫穿所述自由層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁存儲器件，其特征在于，所述非磁性結(jié)構(gòu)至少有2個。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁存儲器件，其特征在于，所述非磁性結(jié)構(gòu)材料為鎂、鈦、鉻、銅氧/氮化物中的至少一種。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁存儲器件，其特征在于，所述自由層具有相對的第一面和第二面，所述第二面較所述第一面遠離所述通道隔離層，在所述第一面與所述通道隔離層中間有非磁性薄膜層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁存儲器件，其特征在于，還包括第一電極和第二電極；所述第一電極位于所述固定層下方，所述第二電極位于所述自由層上方。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁存儲器件，其特征在于，還包括半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件與所述固定層電連接。
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