[實(shí)用新型]多光譜圖像傳感器和多光譜傳感器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201921055368.2 | 申請(qǐng)日: | 2019-07-08 |
| 公開(公告)號(hào): | CN210296379U | 公開(公告)日: | 2020-04-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | A·克羅徹瑞;D·里多 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 意法半導(dǎo)體(克洛爾2)公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/146 | 分類號(hào): | H01L27/146;G01J1/44 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人: | 王茂華 |
| 地址: | 法國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光譜 圖像傳感器 傳感器 | ||
1.一種多光譜圖像傳感器,其特征在于,包括:
半導(dǎo)體層;以及
多個(gè)像素,形成在所述半導(dǎo)體層的內(nèi)部和之上,所述多個(gè)像素包括形成在所述半導(dǎo)體層的第一部分的內(nèi)部和之上的第一類型的第一像素、以及形成在所述半導(dǎo)體層的第二部分的內(nèi)部和之上的第二類型的第二像素,其中所述第一像素具有第一厚度,所述第一厚度限定在第一波長處諧振的豎直腔,并且所述第二像素具有不同于所述第一厚度的第二厚度,所述第二厚度限定在不同于所述第一波長的第二波長處諧振的豎直腔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多光譜圖像傳感器,其特征在于,所述第一像素包括形成在所述半導(dǎo)體層的所述第一部分中的第一有源光敏區(qū)域,并且所述第二像素包括形成在所述半導(dǎo)體層的所述第二部分中的第二有源光敏區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多光譜圖像傳感器,其特征在于,所述半導(dǎo)體層的所述第一部分和所述第二部分由絕緣壁橫向界定。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多光譜圖像傳感器,其特征在于,所述半導(dǎo)體層的前表面和后表面被涂覆有絕緣材料,所述絕緣材料具有小于所述半導(dǎo)體層的材料的折射率的折射率。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多光譜圖像傳感器,其特征在于,所述半導(dǎo)體層的所述第一部分和所述第二部分的前表面基本共面。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的多光譜圖像傳感器,其特征在于,還包括與所述半導(dǎo)體層的所述前表面相鄰的絕緣層,所述絕緣層具有形成在其中的金屬互連層。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的多光譜圖像傳感器,其特征在于,所述傳感器被配置為被背面照射。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多光譜圖像傳感器,其特征在于,所述傳感器包括形成在所述半導(dǎo)體層中的部分半導(dǎo)體層的內(nèi)部和之上的多于兩種不同類型的像素,每種類型的像素具有選定的不同厚度,以限定在不同波長處諧振的豎直腔。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的多光譜圖像傳感器,其特征在于,所述傳感器包括四種或更多種不同類型的像素。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多光譜圖像傳感器,其特征在于,所述半導(dǎo)體層的所述第一部分和所述第二部分具有相同的橫向尺寸。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多光譜圖像傳感器,其特征在于,所述半導(dǎo)體層的所述第一部分和所述第二部分具有不同的橫向尺寸。
12.一種多光譜傳感器,其特征在于,包括:
半導(dǎo)體襯底,具有正面和背面;
多個(gè)互連層,在所述半導(dǎo)體襯底的所述正面處;
微透鏡層,在所述半導(dǎo)體襯底的所述背面處;以及
多個(gè)光敏區(qū)域,在所述互連層與所述微透鏡層之間的所述半導(dǎo)體襯底內(nèi),所述光敏區(qū)域中的每個(gè)光敏區(qū)域具有與待檢測(cè)光的顏色相關(guān)聯(lián)的厚度,其中所述多光譜傳感器具有至少具有一定厚度的光敏區(qū)域,使得所述多光譜傳感器能夠檢測(cè)至少四種不同顏色的光。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的多光譜傳感器,其特征在于,所述光敏區(qū)域通過絕緣壁被彼此分離。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的多光譜傳感器,其特征在于,所述半導(dǎo)體襯底的所述正面和所述背面被涂覆有絕緣材料,所述絕緣材料具有小于所述光敏區(qū)域的半導(dǎo)體材料的折射率的折射率。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的多光譜傳感器,其特征在于,所述光敏區(qū)域中的每個(gè)光敏區(qū)域具有相同的橫向尺寸。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





