[實用新型]一種單基島的SOT引線框架

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201921034429.7
• 申請日: 2019-07-01
• 公開（公告）號: CN210092071U
• 公開（公告）日: 2020-02-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王霞;張國慶;李琦
• 申請（專利權(quán)）人: 天水華天科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L23/367
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司 61200
• 代理人: 李鵬威

本實用新型公開了一種單基島的SOT引線框架，包括框架本體和引線框架單元組，每組引線框架單元組內(nèi)包括橫向并排設(shè)置的4個引線框架單元，所述引線框架單元包括基島和若干引腳，基島的下方設(shè)置引腳Ⅰ、引腳Ⅱ和引腳Ⅲ，基島的上方設(shè)置引腳Ⅳ和引腳Ⅴ，引腳Ⅳ為矩形結(jié)構(gòu)，引腳Ⅰ、引腳Ⅱ和引腳Ⅲ的寬度相等，引腳Ⅳ的寬度大于引腳Ⅰ、引腳Ⅱ、引腳Ⅲ和引腳Ⅴ，引腳Ⅳ的內(nèi)引腳和基島相接處設(shè)置鎖定孔Ⅰ，引腳Ⅳ的外引腳為分叉狀，分叉之間設(shè)置應(yīng)力釋放槽Ⅱ，引腳Ⅰ、引腳Ⅱ和引腳Ⅲ的內(nèi)引腳均為“T”形結(jié)構(gòu)。本實用新型具有失效率低、節(jié)省空間、成本低等優(yōu)點，并可縮短產(chǎn)品上市時間，降低投資風險，具有廣泛的應(yīng)用價值。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型屬于半導體芯片封裝技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種單基島的SOT引線框架。

背景技術(shù)

自電子器件制造業(yè)產(chǎn)生以來，半導體行業(yè)提供了各種各樣的封裝件來包封芯片，從第一只電子器件誕生到現(xiàn)在，半導體正朝著小型化、高集成、多媒體化的方向發(fā)展，半導體封裝逐漸趨向于高密度、小型化、高性能、多芯片組配、低成本的方向發(fā)展。在傳統(tǒng)封裝中，DIP、SOP封裝是基礎(chǔ)的封裝形式，應(yīng)用面廣大，隨著半導體封裝產(chǎn)品集成化、小型化的趨勢，半導體核心的芯片也發(fā)展的集成度更高、尺寸更小，而封裝外形不變，造成了芯片與引腳間的焊線增長，會增加IC器件內(nèi)部的電阻、電感和寄生電容值，且焊線長度越長效能影響越大，能夠承載的電流越小，又不能很好地實現(xiàn)熱傳導及信號輸出的效果，極大地限制了其應(yīng)用范圍。

實用新型內(nèi)容

本實用新型的目的是提供一種單基島的SOT引線框架，以解決上述問題。

為了達到上述目的，本實用新型采用的技術(shù)方案為：

一種單基島的SOT引線框架，包括框架本體和設(shè)置于框架本體上的若干列引線框架單元組，每組引線框架單元組之間設(shè)有應(yīng)力釋放槽Ⅰ，每組引線框架單元組內(nèi)包括橫向并排設(shè)置的4個引線框架單元，所述引線框架單元包括基島和若干引腳，基島的下方設(shè)置引腳Ⅰ、引腳Ⅱ和引腳Ⅲ，基島的上方設(shè)置引腳Ⅳ和引腳Ⅴ，引腳Ⅳ為矩形結(jié)構(gòu)，引腳Ⅰ、引腳Ⅱ和引腳Ⅲ的寬度相等，引腳Ⅳ的寬度大于引腳Ⅰ、引腳Ⅱ、引腳Ⅲ和引腳Ⅴ，引腳Ⅳ的內(nèi)引腳和基島相接處設(shè)置鎖定孔Ⅰ，引腳Ⅳ的外引腳為分叉狀，分叉之間設(shè)置應(yīng)力釋放槽Ⅱ，引腳Ⅰ、引腳Ⅱ和引腳Ⅲ的內(nèi)引腳均為“T”形結(jié)構(gòu)。

引腳Ⅰ、引腳Ⅱ和引腳Ⅲ之間間距的第一種情況：所述引腳Ⅰ和引腳Ⅱ的間距大于引腳Ⅱ和引腳Ⅲ的間距。

所述引腳Ⅰ和引腳Ⅱ的內(nèi)引腳之間的間距等于引腳Ⅱ和引腳Ⅲ的內(nèi)引腳之間的間隔距離的兩倍與引腳Ⅰ的內(nèi)引腳的寬度之和。

引腳Ⅰ、引腳Ⅱ和引腳Ⅲ之間間距的第二種情況：所述引腳Ⅰ和引腳Ⅱ的間距小于引腳Ⅱ和引腳Ⅲ的間距。

所述引腳Ⅱ和引腳Ⅲ的內(nèi)引腳之間的間距等于引腳Ⅰ和引腳Ⅱ的內(nèi)引腳之間的間隔距離的兩倍與與引腳Ⅰ的內(nèi)引腳的寬度之和。

引腳Ⅴ結(jié)構(gòu)的第一種情況：所述引腳Ⅴ的內(nèi)引腳與基島相連，引腳Ⅴ的內(nèi)引腳和基島相接處設(shè)置鎖定孔Ⅱ，引腳Ⅴ的內(nèi)引腳的寬度大于引腳Ⅰ的內(nèi)引腳的寬度。

引腳Ⅴ結(jié)構(gòu)的第二種情況：所述引腳Ⅴ的內(nèi)引腳與基島不相連，引腳Ⅴ的內(nèi)引腳的寬度大于引腳Ⅰ的內(nèi)引腳的寬度。

本實用新型相較于現(xiàn)有技術(shù)的有益效果為：