[實用新型]用于MOCVD反應室的加熱裝置及MOCVD反應室

有效

• 申請號: 201920975363.5
• 申請日: 2019-06-26
• 公開（公告）號: CN210458363U
• 公開（公告）日: 2020-05-05
• 發明（設計）人: 王志升
• 申請（專利權）人: 東泰高科裝備科技有限公司
• 主分類號: C23C16/46
• 分類號: C23C16/46;C30B25/10
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 梁文惠

本實用新型提供了一種用于MOCVD反應室的加熱裝置及MOCVD反應室。加熱裝置位于MOCVD反應室的筒狀基片載臺內且與筒狀基片載臺連接，加熱裝置包括：第一加熱組件，包括多個與筒狀基片載臺連接的第一加熱結構；第二加熱組件，沿筒狀基片載臺的軸線方向，第二加熱組件位于第一加熱組件的一側，第二加熱組件包括多個與筒狀基片載臺連接的第二加熱結構；和/或第三加熱組件，沿筒狀基片載臺的軸線方向，第三加熱組件位于第一加熱組件的另一側，第三加熱組件包括多個與筒狀基片載臺連接的第三加熱結構；其中，第一加熱組件和/或第二加熱組件和/或第三加熱組件同步運行。本實用新型解決了現有技術中加熱裝置存在溫差，影響電池基片沉積效果的問題。

技術領域

本實用新型涉及半導體技術領域，具體而言，涉及一種用于MOCVD反應室的加熱裝置及MOCVD反應室。

背景技術

目前，在砷化鎵太陽能電池生產過程中，需要使用MOCVD反應室在電池基片上形成金屬聚合物膜層。

然而，在現有技術中，MOCVD反應室的加熱器為一體結構，筒狀基片載臺的中間區域和外緣區域存在溫差，導致電池基片的中間區域和外緣區域的沉積效果存在差異，影響電池性能。

實用新型內容

本實用新型的主要目的在于提供一種用于MOCVD反應室的加熱裝置及MOCVD反應室，以解決現有技術中加熱裝置存在溫差，影響電池基片沉積效果的問題。

為了實現上述目的，根據本實用新型的一個方面，提供了一種用于MOCVD反應室的加熱裝置，加熱裝置位于MOCVD反應室的筒狀基片載臺內且與筒狀基片載臺連接，加熱裝置包括：第一加熱組件，包括多個第一加熱結構，多個第一加熱結構與筒狀基片載臺的內表面連接；第二加熱組件，沿筒狀基片載臺的軸線方向，第二加熱組件位于第一加熱組件的一側，第二加熱組件包括多個第二加熱結構，多個第二加熱結構與筒狀基片載臺的內表面連接；和/或第三加熱組件，沿筒狀基片載臺的軸線方向，第三加熱組件位于第一加熱組件的另一側，第三加熱組件包括多個第三加熱結構，多個第三加熱結構與筒狀基片載臺的內表面連接；其中，第一加熱組件和/或第二加熱組件和/或第三加熱組件同步運行，以對筒狀基片載臺進行加熱。

進一步地，多個第一加熱結構沿筒狀基片載臺的內周向間隔設置；和/或多個第一加熱結構沿筒狀基片載臺的軸線方向間隔設置。

進一步地，當多個第一加熱結構沿筒狀基片載臺的內周向間隔設置時，各第一加熱結構的延伸方向與筒狀基片載臺的軸線方向平行設置。

進一步地，多個第二加熱結構沿筒狀基片載臺的內周向間隔設置；和/或多個第二加熱結構沿筒狀基片載臺的軸線方向間隔設置。

進一步地，當多個第二加熱結構沿筒狀基片載臺的軸線方向間隔設置時，各第二加熱結構為環狀結構且與筒狀基片載臺同軸設置。

進一步地，多個第三加熱結構沿筒狀基片載臺的內周向間隔設置；和/或多個第三加熱結構沿筒狀基片載臺的軸線方向間隔設置。

進一步地，當多個第三加熱結構沿筒狀基片載臺的軸線方向間隔設置時，各第三加熱結構為環狀結構且與筒狀基片載臺同軸設置。

進一步地，加熱裝置還包括：第一檢測模塊，與第一加熱組件連接，第一檢測模塊用于檢測第一加熱組件的加熱溫度；第一控制模塊，與第一檢測模塊和第一加熱組件均連接，第一檢測模塊將檢測溫度值傳輸給第一控制模塊，第一控制模塊根據檢測溫度值控制第一加熱組件的加熱溫度或加熱功率。