[實(shí)用新型]一種p型晶體硅太陽(yáng)能電池有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201920960985.0 | 申請(qǐng)日： | 2019-06-24 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN210575969U | 公開（公告）日： | 2020-05-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李華;劉繼宇 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 泰州隆基樂(lè)葉光伏科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L31/0216 | 分類號(hào)： | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/028;H01L31/04;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京潤(rùn)澤恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11319 | 代理人： | 莎日娜 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 晶體 太陽(yáng)能電池 | ||
本實(shí)用新型提供了一種p型晶體硅太陽(yáng)能電池，涉及太陽(yáng)能光伏技術(shù)領(lǐng)域。所述p型晶體硅太陽(yáng)能電池，包括：p型晶體硅基底；局域p++型摻雜區(qū)，形成于所述P型晶體硅基底的正面；正面減反射層，沉積于所述p型晶體硅基底的正面；正面金屬電極，所述正面金屬電極穿透所述正面減反射層并與所述局域p++型摻雜區(qū)接觸；鈍化隧穿層；形成于所述P型晶體硅基底的背面；n型摻雜硅膜層，形成于所述鈍化隧穿層的背面；背面鈍化層，沉積于所述n型摻雜硅膜層的背面；以及穿透所述背面鈍化層并與所述n型摻雜硅膜層接觸的背面金屬電極。本實(shí)用新型的p型晶體硅太陽(yáng)能電池，減少了光學(xué)損失，且接觸區(qū)復(fù)合小、光電轉(zhuǎn)換效率高、開路電壓大，成本低。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及太陽(yáng)能光伏技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種p型晶體硅太陽(yáng)能電池。
背景技術(shù)
異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池具有生產(chǎn)工藝溫度低、光電轉(zhuǎn)換效率高等優(yōu)勢(shì)，因此應(yīng)用前景廣泛。
目前，異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池中，異質(zhì)結(jié)的設(shè)置，通常會(huì)減少進(jìn)入硅基底的有效入射光，造成較大的光學(xué)損失，因此需要配合透明導(dǎo)電膜、低溫導(dǎo)電銀漿等以維持較高的光電轉(zhuǎn)換效率。
由于透明導(dǎo)電膜、低溫導(dǎo)電銀漿等成本較高，導(dǎo)致異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池成本居高不下。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型提供一種p型晶體硅太陽(yáng)能電池，旨在解決異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池成本高的問(wèn)題。
根據(jù)本實(shí)用新型的第一方面，提供了一種p型晶體硅太陽(yáng)能電池，包括： p型晶體硅基底；
局域p++型摻雜區(qū)，形成于所述P型晶體硅基底的正面；
正面減反射層，沉積于所述p型晶體硅基底的正面；
正面金屬電極，所述正面金屬電極穿透所述正面減反射層并與所述局域 p++型摻雜區(qū)接觸；
鈍化隧穿層；形成于所述P型晶體硅基底的背面；所述鈍化隧穿層為摻雜有Ⅲ族和/或Ⅴ族元素的隧穿基體；所述隧穿基體為：氧化硅基體、氮化硅基體、氮氧化硅基體、氧化鋁基體、碳化硅基體或非晶硅基體中的任意一種；
n型摻雜硅膜層，形成于所述鈍化隧穿層的背面；
背面鈍化層，沉積于所述n型摻雜硅膜層的背面；
以及背面金屬電極，所述背面金屬電極穿透所述背面鈍化層并與所述n 型摻雜硅膜層接觸；所述背面金屬電極為柵線電極。
可選的，所述局域p++型摻雜區(qū)的寬度，大于等于所述正面金屬電極的寬度。
可選的，所述p型晶體硅太陽(yáng)能電池，還包括：p+型摻雜層，摻雜形成于所述正面減反射層與所述p型晶體硅基底之間且所述局域p++型摻雜區(qū)之外的區(qū)域。
可選的，所述鈍化隧穿層厚度為0.5～3nm。
可選的，所述p型晶體硅基底的厚度為50～300μm。
可選的，所述n型摻雜硅膜層的厚度為10nm～500nm。
可選的，所述正面減反射層的厚度為40～100nm。
可選的，所述背面鈍化層的厚度為40～200nm。
可選的，所述正面金屬電極包括：Al電極、Al/Ag電極、Ni/Cu電極、 Co/Cu電極、Ni/Cu/Sn電極、Co/Cu/Sn電極、Co/Cu/Ag電極、Ni/Cu/Ag電極中的任意一種。
可選的，所述背面金屬電極，包括Ag電極、Ni/Ag電極、Ni/Cu電極、 Co/Ag電極、Co/Cu電極、Co/Cu/Sn電極、Co/Cu/Ag電極、Ni/Cu/Sn電極、 Ni/Cu/Ag電極中的任意一種。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
