[實用新型]一種可以改善RENA制絨滾輪印的滾輪有效
| 申請號: | 201920883235.8 | 申請日: | 2019-06-13 |
| 公開(公告)號: | CN209658222U | 公開(公告)日: | 2019-11-19 |
| 發明(設計)人: | 周守亮;陳紹光;蘇世杰;劉大亮 | 申請(專利權)人: | 通威太陽能(合肥)有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/20 | 分類號: | H01L31/20 |
| 代理公司: | 53113 昆明合眾智信知識產權事務所 | 代理人: | 葉春娜<國際申請>=<國際公布>=<進入 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 自轉套筒 滾軸 滾輪 卡扣 本實用新型 滾輪印 上滾輪 制絨 電池片表面 插銷 電池外觀 固定套筒 電池片 活動套 間隙槽 均勻性 制絨槽 偏移 嵌設 去除 限位 兩邊 改進 | ||
本實用新型公開了一種可以改善RENA制絨滾輪印的滾輪,包括滾軸和O型圈,所述滾軸上活動套設有自轉套筒,所述自轉套筒兩端均固定連接有滾輪,所述O型圈嵌設于滾輪上;所述自轉套筒和滾軸之間設置有間隙槽,所述自轉套筒兩側的滾軸上均套設有彈性C字型卡扣,所述彈性C字型卡扣與自轉套筒之間距離為0.2cm?1cm。本實用新型通過對制絨槽上滾輪的改進,將固定套筒的插銷去除,減輕在電池片上滾輪印的產生情況,并且在自轉套筒兩邊0.2cm?1cm的滾軸位置上用彈性C字型卡扣對自轉套筒進行限位,使得自轉套筒可以帶著滾輪一起發生左右方向上的偏移,從而更好的減少了制絨過程中電池片表面產生的滾輪印,改善了電池外觀和提高了絨面的均勻性。
技術領域
本實用新型涉及太陽能電池多晶制絨技術領域,具體為一種可以改善RENA制絨滾輪印的滾輪。
背景技術
在太陽能電池的生產工藝中,多晶制絨是太陽電池生產過程中的第一道工序,其目的是利用硝酸和氫氟酸的混合酸液對多晶硅片的各向同性腐蝕來對硅片表面進行織構化,以減少光的反射,硅片表面絨面可以有效的降低太陽能電池的表面反射率,它是影響太陽能電池光電轉換效率的重要因素之一。
隨著太陽電池的不斷發展,業界對電池質量的要求也在不斷的提高,不僅體現在電池電性能方面,同時對電池外觀也有更高的要求。目前行業內采用的RENA多晶鏈式制絨設備制絨后的硅片表面有明顯的滾輪印,滾輪印處的制絨表面腐蝕坑大小分布于正常表面有很大差異,從而導致鍍膜后產生色差,影響外觀和絨面均勻性,并且,在RENA多晶制絨設備中,由于鏈式反應的機臺結構硅片在制絨槽中不可避免的與滾輪接觸,由于硅片在反應過程中受到上下滾輪的擠壓,經常導致制絨后硅片表面產生滾輪印,鍍膜后產生外觀色差和絨面不均勻影響效率。
一、現有技術中,普遍采用的是,在制絨槽的滾軸1上設有八個固定套筒20,如說明書附圖1和附圖2所示,在固定套筒20的兩端嵌設有O型圈,固定套筒20和滾軸1中貫通開設有通孔5,固定套筒20的中心設有插銷6,插銷6將固定套筒20固定在滾軸1上,固定套筒20無法自轉,在對電池片100滾壓時滾輪印十分明顯,制絨槽中前后滾軸1和固定套筒20都是平行對稱排列的,因此受力點都在兩條直線上,導致直線上的腐蝕速率的其它位置不一樣從而產生兩道非常顯眼的滾輪?。?/p>
二、為了解決兩道滾輪印的問題,現有申請號“201520247230.8”的一種多晶硅太陽能電池降低制絨后滾輪印的裝置,它解決了現有制絨過程中碎片率高,絨面不均勻,電池片表面有滾輪印的問題,將原有制絨槽滾軸與硅片接觸部位的線性改為三角形,但是其并不能減輕滾輪印的形成程度,只是使滾輪印的形成不再完全形成在兩條直線上。
實用新型內容
本實用新型的目的在于提供一種可以改善RENA制絨滾輪印的滾輪,以解決上述背景技術中提出的問題。
為實現上述目的,本實用新型提供如下技術方案:
一種可以改善RENA制絨滾輪印的滾輪,包括滾軸和O型圈,所述滾軸上活動套設有自轉套筒,所述自轉套筒兩端均固定連接有滾輪,所述O型圈嵌設于滾輪上;
所述自轉套筒和滾軸之間設置有間隙槽,所述自轉套筒兩側的滾軸上均套設有彈性C字型卡扣,所述彈性C字型卡扣與自轉套筒之間距離為0.2cm-1cm。
優選的,所述間隙槽中設置有緩沖間隔環,所述緩沖間隔環將間隙槽分成內隙和外隙,所述內隙設置在滾軸和緩沖間隔環之間,所述外隙設置在自轉套筒和緩沖間隔環之間;
所述緩沖間隔環位于外隙一側固定有三個限位套,所述限位套內設置有彈簧,所述限位套通過彈簧固定連接于自轉套筒內側壁上。
優選的,三個所述限位套呈等邊三角形分布。
與現有技術相比,本實用新型的有益效果是:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





