[實用新型]提高NTC熱敏電阻檢測精度的控制電路及電子設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201920792601.9 | 申請日： | 2019-05-29 |
| 公開（公告）號： | CN209803597U | 公開（公告）日： | 2019-12-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 不公告發(fā)明人 | 申請（專利權(quán)）人： | 惠州拓邦電氣技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | G05B19/042 | 分類號： | G05B19/042;G01K7/24 |
| 代理公司： | 44314 深圳市瑞方達知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) | 代理人： | 郭方偉;張亞菊 |
| 地址： | 516000 廣東省惠州市仲愷高*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 分壓電路 短路開關(guān)電路 接地 第一端 本實用新型 分壓電阻 供電電壓 控制電路 控制芯片 連接控制 芯片MCU 電子設(shè)備 溫度階段 檢測 引腳 | ||
1.一種提高NTC熱敏電阻檢測精度的控制電路，其特征在于，包括控制芯片MCU、第一分壓電路、第二分壓電路、短路開關(guān)電路；
NTC熱敏電阻的第一端連接供電電壓VCC，所述NTC熱敏電阻的第二端連接所述控制芯片MCU的AD引腳；所述NTC熱敏電阻的第二端連接所述第一分壓電路的第一端，所述第一分壓電路的第二端連接所述短路開關(guān)電路第一端，所述短路開關(guān)電路第二端連接所述控制芯片MCU的GPIO引腳；所述第一分壓電路的第二端通過所述第二分壓電路接地，所述短路開關(guān)電路接地；
所述控制芯片MCU的VCC引腳連接供電電壓VCC，所述控制芯片MCU的GND引腳接地。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高NTC熱敏電阻檢測精度的控制電路，其特征在于，所述第一分壓電路為第一分壓電阻R1。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的提高NTC熱敏電阻檢測精度的控制電路，其特征在于，所述第一分壓電阻R1的阻值在第一預(yù)設(shè)范圍內(nèi)；或
所述第一分壓電阻R1的阻值等于所述NTC熱敏電阻在高溫下的阻值。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的提高NTC熱敏電阻檢測精度的控制電路，其特征在于，所述第二分壓電路為第二分壓電阻R3。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的提高NTC熱敏電阻檢測精度的控制電路，其特征在于，所述第二分壓電阻R3的阻值在第二預(yù)設(shè)范圍內(nèi)，且所述第一預(yù)設(shè)范圍的最大值小于所述第二預(yù)設(shè)范圍的最小值；或
所述第二分壓電阻R3的阻值等于所述NTC熱敏電阻在低溫下的阻值。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高NTC熱敏電阻檢測精度的控制電路，其特征在于，所述短路開關(guān)電路為MOS管Q1；
所述MOS管Q1的柵極連接所述控制芯片MCU的GPIO引腳，所述MOS管Q1的漏極連接所述第一分壓電路的第二端，所述MOS管Q1的源極接地。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的提高NTC熱敏電阻檢測精度的控制電路，其特征在于，所述第二分壓電路的兩端分別連接所述MOS管Q1的漏極和所述MOS管Q1的源極。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的提高NTC熱敏電阻檢測精度的控制電路，其特征在于，還包括電阻R2，所述MOS管Q1的柵極通過所述電阻R2連接所述控制芯片MCU的GPIO引腳。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的提高NTC熱敏電阻檢測精度的控制電路，其特征在于，還包括電阻R4，所述電阻R4的兩端分別連接所述MOS管Q1的柵極和所述MOS管Q1的源極。
10.一種電子設(shè)備，其特征在于，所述電子設(shè)備包括如權(quán)利要求1-9任一項所述提高NTC熱敏電阻檢測精度的控制電路。
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