[實(shí)用新型]MST驅(qū)動(dòng)器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201920776166.0
• 申請日: 2019-05-27
• 公開（公告）號(hào): CN210072628U
• 公開（公告）日: 2020-02-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄭然宰
• 申請（專利權(quán)）人: 江西聯(lián)智集成電路有限公司
• 主分類號(hào): G06K7/08
• 分類號(hào): G06K7/08
• 代理公司: 11021 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 樸英淑

1.一種MST驅(qū)動(dòng)器，其特征在于，具備：

高壓側(cè)的第一開關(guān)元件和第二開關(guān)元件；以及

低壓側(cè)的第三開關(guān)元件和第四開關(guān)元件，

在電壓源與地之間以橋接方式連接所述第一開關(guān)元件至所述第四開關(guān)元件來構(gòu)成橋接電路，在該橋接電路的輸出端之間連接線圈，

所述第三開關(guān)元件包括多個(gè)子開關(guān)元件，所述第四開關(guān)元件包括多個(gè)子開關(guān)元件。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MST驅(qū)動(dòng)器，其特征在于，

所述第一開關(guān)元件～第四開關(guān)元件由NMOS管構(gòu)成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MST驅(qū)動(dòng)器，其特征在于，

所述第一開關(guān)元件和第二開關(guān)元件由PMOS管構(gòu)成，所述第三開關(guān)元件和第四開關(guān)元件由NMOS管構(gòu)成。

4.一種MST驅(qū)動(dòng)器，其特征在于，具備：

高壓側(cè)的第一開關(guān)元件和第二開關(guān)元件；以及

低壓側(cè)的第三開關(guān)元件和第四開關(guān)元件，

在電壓源與地之間以橋接方式連接所述第一開關(guān)元件至所述第四開關(guān)元件來構(gòu)成橋接電路，在該橋接電路的輸出端之間連接線圈，

所述第一開關(guān)元件包括多個(gè)子開關(guān)元件，所述第二開關(guān)元件包括多個(gè)子開關(guān)元件。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的MST驅(qū)動(dòng)器，其特征在于，

所述第一開關(guān)元件～第四開關(guān)元件由NMOS管構(gòu)成。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的MST驅(qū)動(dòng)器，其特征在于，

所述第一開關(guān)元件和第二開關(guān)元件由PMOS管構(gòu)成，所述第三開關(guān)元件和第四開關(guān)元件由NMOS管構(gòu)成。