[實(shí)用新型]一種Ka波段GaN高性能6W功率放大器芯片

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201920774030.6
• 申請(qǐng)日: 2019-05-27
• 公開（公告）號(hào): CN210120535U
• 公開（公告）日: 2020-02-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃登祥;羅力偉;王祁鈺
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 四川益豐電子科技有限公司
• 主分類號(hào): H03F1/02
• 分類號(hào): H03F1/02;H03F3/21
• 代理公司: 北京中索知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11640
• 代理人: 房立普

1.一種Ka波段GaN高性能6W功率放大器芯片，其特征在于，包括輸入級(jí)電路、第一放大電路、第二放大電路、輸出級(jí)電路，所述第一放大電路和第二放大電路并聯(lián)后，左端接輸入級(jí)電路的輸出端，右端接輸出級(jí)電路的輸入端，所述輸入級(jí)電路的輸入端接射頻信號(hào)輸入端，輸出級(jí)電路的輸出端為射頻信號(hào)輸出端；

所述第一放大電路包括依次連接的輸入匹配網(wǎng)絡(luò)、第一穩(wěn)定網(wǎng)絡(luò)、場效應(yīng)管Q1、第一匹配網(wǎng)絡(luò)、第二穩(wěn)定網(wǎng)絡(luò)、場效應(yīng)管Q2、第二匹配網(wǎng)絡(luò)，還包括第三穩(wěn)定網(wǎng)絡(luò)、第四穩(wěn)定網(wǎng)絡(luò)、場效應(yīng)管Q3、場效應(yīng)管Q4、第三匹配網(wǎng)絡(luò)、輸出匹配網(wǎng)絡(luò)，所述第三穩(wěn)定網(wǎng)絡(luò)與場效應(yīng)管Q3連接，第四穩(wěn)定網(wǎng)絡(luò)與場效應(yīng)管Q4連接，第三匹配網(wǎng)絡(luò)與輸出匹配網(wǎng)絡(luò)連接，所述第三穩(wěn)定網(wǎng)絡(luò)的輸入端連接第二匹配網(wǎng)絡(luò)的右上端，第四穩(wěn)定網(wǎng)絡(luò)的輸入端連接第二匹配網(wǎng)絡(luò)的右下端，場效應(yīng)管Q3、場效應(yīng)管Q4的漏極分別連接第三匹配網(wǎng)絡(luò)的左上端和左下端，輸出匹配網(wǎng)絡(luò)的輸出端接輸出級(jí)電路的輸入端；

所述第一穩(wěn)定網(wǎng)絡(luò)、第一匹配網(wǎng)絡(luò)、第二穩(wěn)定網(wǎng)絡(luò)、第二匹配網(wǎng)絡(luò)、第三穩(wěn)定網(wǎng)絡(luò)、第四穩(wěn)定網(wǎng)絡(luò)、輸出匹配網(wǎng)絡(luò)的輸入端分別設(shè)有第一偏置電路、第一漏極電路、第二偏置電路、第二漏極電路、第三偏置電路、第四偏置電路、第三漏極電路；

所述第二放大電路與第一放大電路的結(jié)構(gòu)、元器件參數(shù)、功能均相同，所述第一放大電路、第二放大電路關(guān)于射頻信號(hào)輸入端、射頻信號(hào)輸出端上下對(duì)稱。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種Ka波段GaN高性能6W功率放大器芯片，其特征在于，所述輸入級(jí)電路由依次串聯(lián)連接的電容C0、微帶線M0構(gòu)成，所述電容C0的左端接外電路的輸出端，微帶線M0的右端接輸入匹配網(wǎng)絡(luò)的輸入端。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種Ka波段GaN高性能6W功率放大器芯片，其特征在于，所述輸入匹配網(wǎng)絡(luò)包括依次串聯(lián)連接的微帶線M1、電容C1、微帶線M2、微帶線M3，所述微帶線M2與微帶線M3之間設(shè)有電容C2，所述電容C2的一端接在微帶線M2與微帶線M3之間，另一端接地。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種Ka波段GaN高性能6W功率放大器芯片，其特征在于，所述第一穩(wěn)定網(wǎng)絡(luò)、第二穩(wěn)定網(wǎng)絡(luò)、第三穩(wěn)定網(wǎng)絡(luò)、第四穩(wěn)定網(wǎng)絡(luò)的電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)相同，元器件參數(shù)不同；所述第二穩(wěn)定網(wǎng)絡(luò)、第三穩(wěn)定網(wǎng)絡(luò)、第四穩(wěn)定網(wǎng)絡(luò)的電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)相同，元器件參數(shù)均相同；所述第一穩(wěn)定網(wǎng)絡(luò)包括并聯(lián)連接的電容C5、電阻R4、電容C6；所述第二穩(wěn)定網(wǎng)絡(luò)、第三穩(wěn)定網(wǎng)絡(luò)、第四穩(wěn)定網(wǎng)絡(luò)均由并聯(lián)連接的電容C13、電阻R9、電容C14構(gòu)成。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種Ka波段GaN高性能6W功率放大器芯片，其特征在于，所述第一匹配網(wǎng)絡(luò)包括依次串聯(lián)連接的微帶線M6、電容C9、微帶線M7、電容C10，所述電容C10遠(yuǎn)離微帶線M7的一端接地；所述第二匹配網(wǎng)絡(luò)包括依次串聯(lián)連接的微帶線M10、電容C18、電容C19，電容C17，所述電容C17的一端連接在微帶線M10與電容C18之間，另一端接地，所述電容C18、電容C19之間豎向設(shè)有微帶線M11、微帶線M12；所述第三匹配網(wǎng)絡(luò)包括依次串聯(lián)連接的電容C28、微帶線M15、電容C29，所述電容C28的左端和電容C29的下端均接地，所述電容C28、微帶線M15之間豎向設(shè)有微帶線13、微帶線M14。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種Ka波段GaN高性能6W功率放大器芯片，其特征在于，所述第一偏置電路、第二偏置電路、第三偏置電路和第四偏置電路的電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)相同，元器件參數(shù)相同；所述第一偏置電路、第二偏置電路、第三偏置電路和第四偏置電路均包括依次串聯(lián)連接的電阻R1、電感L1、電阻R2、電阻R3、電容C4，所述電感L1、電阻R2之間設(shè)有電容C3，所述電容C3的左端和電容C4的右端均接地。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種Ka波段GaN高性能6W功率放大器芯片，其特征在于，所述第一漏極電路包括依次串聯(lián)連接的電容C7、電阻R5、電容C8，所述電容C7、電阻R5之間豎向設(shè)有微帶線M4、微帶線M5，所述電容C7的左端和電容C8的右端均接地；所述第二漏極電路、第三漏極電路與第一漏極電路的電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)相同，元器件參數(shù)不同。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種Ka波段GaN高性能6W功率放大器芯片，其特征在于，所述輸出匹配網(wǎng)絡(luò)包括依次串聯(lián)連接的微帶線M18、電容C32、微帶線M19；所述輸出級(jí)電路由一段微帶線M20構(gòu)成。