[實用新型]一種垂直面射型的激光結構

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201920729861.1
• 申請日: 2019-05-21
• 公開（公告）號: CN209516312U
• 公開（公告）日: 2019-10-18
• 發(fā)明（設計）人: 彭鈺仁
• 申請（專利權）人: 廈門乾照半導體科技有限公司
• 主分類號: H01S5/183
• 分類號: H01S5/183;H01S5/187
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

本實用新型提供了一種垂直面射型的激光結構，該垂直面射型的激光結構中，將所述氧化層的未氧化區(qū)域、所述P型歐姆接觸層和所述凹槽結構，在垂直于所述襯底的方向上，同心設置，并且，所述凹槽結構的寬度大于所述未氧化區(qū)域的寬度，所述未氧化區(qū)域的寬度大于所述P型歐姆接觸層的寬度。該P型歐姆接觸層的尺寸定義了增益限制尺寸，氧化層的未氧化區(qū)域的尺寸定義了光學限制尺寸，進而實現(xiàn)了將增益限制和光學限制分開獨立控制的高功率單模激光結構。

技術領域

本實用新型涉及激光結構技術領域，更具體地說，涉及一種垂直面射型的激光結構。

背景技術

隨著科學技術的不斷發(fā)展，各種各樣的VCSEL結構已廣泛應用于人們的日常生活、工作以及工業(yè)中，為人們的生活帶來了極大的便利。

垂直腔面發(fā)射激光器(Vertical Cavity Surface Emitting Laser，VCSEL)有別于LED(Light Emitting Diode，發(fā)光二極管)和LD(Laser Diode，激光二極管)等其它光源，具有提交小，圓形輸出光斑、單縱模輸出、閾值電流小、價格低廉且易集成大面積陣列等優(yōu)點，被廣泛應用于光通信、光互連和光存儲等領域。

但是，目前的垂直面射型的激光結構無法實現(xiàn)高功率單模輸出。

實用新型內容

有鑒于此，為解決上述問題，本實用新型提供一種垂直面射型的激光結構，技術方案如下：

一種垂直面射型的激光結構，所述激光結構包括：

襯底；

依次設置在所述襯底一側的N型布拉格反射鏡層、主動層和氧化層，其中，所述氧化層的中心區(qū)域為未氧化區(qū)域；

設置在所述氧化層背離所述主動層一側的P型布拉格反射鏡層；

設置在所述P型布拉格反射鏡層背離所述氧化層一側的P型歐姆接觸層；

設置在所述P型布拉格反射鏡層背離所述氧化層一側的透明導電層，且覆蓋所述P型歐姆接觸層；

設置在所述透明導電層背離所述P型布拉格反射鏡層一側的P電極；

貫穿所述P電極的凹槽結構；

其中，所述未氧化區(qū)域、所述P型歐姆接觸層和所述凹槽結構，在垂直于所述襯底的方向上，同心設置；

并且，所述凹槽結構的寬度大于所述未氧化區(qū)域的寬度，所述未氧化區(qū)域的寬度大于所述P型歐姆接觸層的寬度。

優(yōu)選的，所述激光結構還包括：

設置在所述襯底背離所述N型布拉格反射鏡層一側的N電極。

優(yōu)選的，所述未氧化區(qū)域的寬度為5μm-15μm，包括端點值。

優(yōu)選的，所述P型歐姆接觸層的寬度為3μm-10μm，包括端點值。

優(yōu)選的，所述凹槽結構的寬度為7μm-20μm，包括端點值。

優(yōu)選的，所述透明導電層為ITO透明導電層或TCO透明導電層。

一種垂直面射型的激光結構的制作方法，所述制作方法包括：

提供一襯底；

在所述襯底的一側依次形成N型布拉格反射鏡層、主動層、氧化層、P型布拉格反射鏡層和P型歐姆接觸層；

對所述P型歐姆接觸層的邊緣區(qū)域進行蝕刻，直至暴露出所述P型布拉格反射鏡層；

在所述P型布拉格反射鏡層背離所述氧化層的一側形成透明導電層，且覆蓋所述P型歐姆接觸層；

對所述激光結構進行適應性臺柱蝕刻，形成臺柱結構；