[實用新型]一種垂直面射型的激光結構有效
| 申請號： | 201920729861.1 | 申請日： | 2019-05-21 |
| 公開（公告）號： | CN209516312U | 公開（公告）日： | 2019-10-18 |
| 發明（設計）人： | 彭鈺仁 | 申請（專利權）人： | 廈門乾照半導體科技有限公司 |
| 主分類號： | H01S5/183 | 分類號： | H01S5/183;H01S5/187 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 王寶筠 |
| 地址： | 361100 福建省廈門市*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氧化區域 垂直面射型 激光結構 凹槽結構 尺寸定義 光學限制 氧化層 高功率單模激光 本實用新型 獨立控制 同心設置 襯底 垂直 | ||
1.一種垂直面射型的激光結構，其特征在于，所述激光結構包括：
襯底；
依次設置在所述襯底一側的N型布拉格反射鏡層、主動層和氧化層，其中，所述氧化層的中心區域為未氧化區域；
設置在所述氧化層背離所述主動層一側的P型布拉格反射鏡層；
設置在所述P型布拉格反射鏡層背離所述氧化層一側的P型歐姆接觸層；
設置在所述P型布拉格反射鏡層背離所述氧化層一側的透明導電層，且覆蓋所述P型歐姆接觸層；
設置在所述透明導電層背離所述P型布拉格反射鏡層一側的P電極；
貫穿所述P電極的凹槽結構；
其中，所述未氧化區域、所述P型歐姆接觸層和所述凹槽結構，在垂直于所述襯底的方向上，同心設置；
并且，所述凹槽結構的寬度大于所述未氧化區域的寬度，所述未氧化區域的寬度大于所述P型歐姆接觸層的寬度。
2.根據權利要求1所述的激光結構，其特征在于，所述激光結構還包括：
設置在所述襯底背離所述N型布拉格反射鏡層一側的N電極。
3.根據權利要求1所述的激光結構，其特征在于，所述未氧化區域的寬度為5μm-15μm，包括端點值。
4.根據權利要求1所述的激光結構，其特征在于，所述P型歐姆接觸層的寬度為3μm-10μm，包括端點值。
5.根據權利要求1所述的激光結構，其特征在于，所述凹槽結構的寬度為7μm-20μm，包括端點值。
6.根據權利要求1所述的激光結構，其特征在于，所述透明導電層為ITO透明導電層或TCO透明導電層。
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