[實用新型]圖像傳感器封裝結構有效
| 申請號: | 201920709761.2 | 申請日: | 2019-05-17 |
| 公開(公告)號: | CN209487507U | 公開(公告)日: | 2019-10-11 |
| 發明(設計)人: | 王國建;佘福良 | 申請(專利權)人: | 積高電子(無錫)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 無錫知之火專利代理事務所(特殊普通合伙) 32318 | 代理人: | 袁粉蘭 |
| 地址: | 214000 江蘇省無錫市濱湖區胡埭工*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 圖像傳感器 基板 填充膠 圖像傳感器封裝結構 本實用新型 第一表面 電性連接 透明蓋板 側板 半導體封裝 封裝結構 感測性能 控制分配 支撐側墻 邊界處 分配 粘接 封裝 溢出 | ||
本實用新型公開了一種圖像傳感器的封裝結構,涉及半導體封裝領域,包括基板,圖像傳感器;其中,圖像傳感器固設在基板的第一表面上,圖像傳感器的上方通過支撐側墻粘接有透明蓋板,圖像傳感器與基板第一表面電性連接,并且在基板的邊界處設置側板,在側板、圖像傳感器、基板、透明蓋板及電性連接圍成的區域內分配有填充膠。本實用新型提供的圖像傳感器封裝結構能夠使得封裝后的圖像傳感器有著較高的結構強度,還能夠在分配填充膠時便于控制分配量,防止填充膠溢出影響感測性能。
技術領域
本實用新型涉及半導體封裝領域,尤其涉及一種圖像傳感器的封裝結構。
背景技術
圖像傳感器是數字圖像設備的核心裝置,可以將將光學圖像信號轉換成電子信號進行處理。通常為了保護圖像傳感器的芯片,使其長期穩定工作以及長期保持良好的感測靈敏度,需要設計穩定可靠的封裝結構。在對圖像傳感器進行封裝時,一方面要對感測芯片的感光區域進行保護;另一方面,要對傳感器與外部電路的電性連接線進行保護,防止外界因素對于感測信號的正常獲取和處理造成影響。
現有技術中,在封裝圖像傳感器時,一般設計多個處理工序、運用復雜的加工工藝,不但成本投入較大,而且在成本投入后,封裝成品的良率依舊難以確保,例如,在封裝過程中,經常出現因填充膠體過多而導致膠體溢入圖像傳感器感測信號接收范圍而導致感測性能下降的情況,大幅降低了封裝成品的良率,對企業的經濟效益產生了較大影響。
實用新型內容
針對上述存在的問題,本實用新型提供一種圖像傳感器封裝結構,不需要復雜的封裝設備及封裝工藝,能夠一定程度地提高封裝良率、改善圖像傳感器封裝結構的可靠性和耐用性。
為實現上述目的,本實用新型提供的技術方案為:
本實用新型提供的圖像傳感器封裝結構,包括:
基板,所述基板包括第一表面及第二表面,所述第二表面與所述第一表面相對;
圖像傳感器,所述圖像傳感器固定于所述基板上,所述圖像傳感器包括感光區,所述圖像傳感器上設置所述感光區一面為所述圖像傳感器的上表面,與所述上表面相對的一面為所述圖像傳感器的下表面;
透明蓋板,粘接在所述圖像傳感器上方,所述圖像傳感器透過所述透明蓋板接收感測信號,所述透明蓋板上被粘接的一面為所述透明蓋板的底面,與所述透明蓋板底面相對的一面為透明蓋板的頂面;
支撐側墻,所述支撐側墻分別與所述透明蓋板及所述圖像傳感器粘接,以使所述透明蓋板與所述圖像傳感器感光區之間形成密封透光區域;所述支撐側墻圍繞所述圖像傳感器感光區外側的上表面固定設置;
多個電性連接所述基板與所述圖像傳感器的引線,并且多個所述引線分布于支撐側墻的外側;
側板,所述側板密封環繞固定于所述基板邊界,并且多個所述引線均位于
所述基板與所述側板圍成的填充腔室內,所述側板鄰近所述填充腔室的一側為內側;
填充膠,所述填充膠填充于由所述側板內側、所述基板第一表面上方以及所述支撐側墻外側構成的填充腔室內,所述填充膠的上表面不高于所述透明蓋板的頂面。
本實用新型提供的圖像傳感器封裝結構,優選地,所述側板與所述基板垂直,所述側板與所述基板通過黏合方式固定。
本實用新型提供的圖像傳感器封裝結構,優選地,所述基板與所述側板一體成型,所述側板與所述基板一體成型的豎直剖面呈“匚”形。
本實用新型提供的圖像傳感器封裝結構,優選地,所述填充膠的上表面與所述透明蓋板的頂面齊平。
本實用新型提供的圖像傳感器封裝結構,優選地,所述填充膠為環氧樹脂。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





