[實用新型]柔性透明電磁屏蔽膜及制備裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201920692169.6
• 申請日: 2019-05-14
• 公開（公告）號: CN210127270U
• 公開（公告）日: 2020-03-06
• 發(fā)明（設計）人: 王魯南;竇立峰
• 申請（專利權）人: 南京匯金錦元光電材料有限公司
• 主分類號: C23C14/56
• 分類號: C23C14/56;C23C14/10;C23C14/08;C23C14/35;H05K9/00
• 代理公司: 北京科億知識產權代理事務所(普通合伙) 11350
• 代理人: 王清義

1.柔性透明電磁屏蔽膜制備裝置，它包括在一個真空鍍膜腔內的多個磁控濺射裝置，各磁控濺射裝置包括以惰性氣體氬氣作為工作氣體、以氧氣為反應氣體的沉積陰極室、位于沉積陰極室內的陰極靶材，其特征是，連續(xù)移動的柔性有機透明基材依次通過各磁控濺射裝置的沉積陰極室，通過各磁控濺射裝置的濺射，并控制通入各沉積陰極室的氧氣和惰性氣體的流量，使得陰極靶材氧化物一次性沉積在柔性有機透明基材的上下表面；在真空鍍膜腔內設置有用于避免陰極靶材氧化物沉積殘渣掉落于柔性有機透明基材上而對沉積質量產生影響的防污裝置。

2.根據權利要求1所述的柔性透明電磁屏蔽膜制備裝置，其特征是，磁控濺射裝置包括陰極靶材分別是Si、Al、Si、Nb、Si、Si、AZO、Al的第一至第八磁控濺射裝置，各磁控濺射裝置沉積陰極室內均通入作為反應氣體的氧氣；先后由第一、第二磁控濺射裝置作用在柔性有機透明基材上表面依次沉積SiO₂阻隔層、Al₂O₃透明硬化層，繼而先后由第三至第八磁控濺射裝置作用在柔性有機基材下表面依次沉積SiO₂阻隔層、NbO_X（0≤x≤5、）調節(jié)層1、SiO₂調節(jié)層2、SiO_X（0≤x≤2）調節(jié)層3、AZO透明磁屏蔽層、Al₂O₃透明硬化層。

3.根據權利要求2所述的柔性透明電磁屏蔽膜制備裝置，其特征是，第一磁控濺射裝置中，氧氣流量12sccm、氬氣流量500 sccm、濺射功率2.0KW，真空度達到4×10^-3 torr；

第二磁控濺射裝置中，氧氣流量10sccm、氬氣流量450 sccm、濺射功率20.0KW，真空度達到4×10^-3 torr；

第三磁控濺射裝置中，氧氣流量12sccm、氬氣流量500 sccm、濺射功率2.0KW，真空度達到4×10^-3 torr；第四磁控濺射裝置中，氧氣流量50sccm、氬氣流量400 sccm、功率16.4KW，真空度達到4×10^-3 torr；

第五磁控濺射裝置中，氧氣流量10sccm、氬氣流量450 sccm、濺射功率20.0KW，真空度達到4×10^-3 torr；

第六磁控濺射裝置中，氧氣流量10sccm、氬氣流量450 sccm、濺射功率20.0KW，真空度達到4×10^-3 torr；

第七磁控濺射裝置中，氧氣流量2sccm、氬氣流量300 sccm、濺射功率10.0KW，真空度達到4×10^-3 torr；

第八磁控濺射裝置中，氧氣流量10sccm、氬氣流量450 sccm、濺射功率20.0KW，真空度達到4×10^-3 torr。

4.根據權利要求2所述的柔性透明電磁屏蔽膜制備裝置，其特征是，它包括一個具有放卷腔、真空鍍膜腔和收卷腔的腔體，放卷腔、收卷腔內分別設置用于連續(xù)放料的放卷臺、用于連續(xù)收料的收卷臺，真空鍍膜腔內設置第一、第二冷鼓；第一、第二磁控濺射裝置繞第一冷鼓周向設置，第三、第四、第五、第六、第七、第八磁控濺射裝置繞第二冷鼓周向設置；柔性有機透明基材從放卷臺上放出后導入第一冷鼓、經第一冷鼓冷卻、穿過第一、第二磁控濺射裝置沉積陰極室后形成單面膜由第一冷鼓導出；單面膜導入第二冷鼓、經第二冷鼓冷卻、穿過第三、第四、第五、第六、第七、第八磁控濺射裝置沉積陰極室后形柔性透明電磁屏蔽膜被收卷臺收卷；柔性有機透明基材下表面移動設置在第一冷鼓上，單面膜的上表面移動設置在第二冷鼓上。

5.根據權利要求4所述的柔性透明電磁屏蔽膜制備裝置，其特征是，第一、第二磁控濺射裝置繞第一冷鼓周向設置在第一冷鼓左側，第三、第四、第五、第六、第七、第八磁控濺射裝置繞第二冷鼓周向設置在第二冷鼓右側；柔性有機透明基材由第一冷鼓上方導入、由第一冷鼓下方引出后，再由第二冷鼓上方導入、由第二冷鼓下方引出。