[實用新型]納米線柵結構和熒光各向異性增強裝置有效
| 申請號： | 201920672709.4 | 申請日： | 2019-05-10 |
| 公開（公告）號： | CN210072117U | 公開（公告）日： | 2020-02-14 |
| 發明（設計）人： | 韓春蕊;齊月靜;王宇;葉劍挺 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | G02B5/00 | 分類號： | G02B5/00 |
| 代理公司： | 11619 北京辰權知識產權代理有限公司 | 代理人： | 佟林松 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 納米線柵 熒光 熒光增強 調制 表面等離激元 本實用新型 結構參數 平行排布 條狀結構 線柵寬度 線柵周期 熒光材料 熒光信號 增強裝置 周期控制 自發輻射 場增強 超材料 局域場 共振 超強 光場 偏振 線寬 線柵 小模 | ||
1.一種納米線柵結構，其特征在于，所述納米線柵結構為多個條狀結構線柵平行排布形成，且其結構參數為：線柵周期300-800納米，線柵寬度50-400納米。
2.根據權利要求1所述的納米線柵結構，其特征在于，所述多個條狀結構線柵厚度為40-60納米。
3.根據權利要求1所述的納米線柵結構，其特征在于，所述多個條狀結構線柵的材料為金屬納米結構超材料，且所述金屬納米結構超材料為金、銀或鋁材料。
4.一種熒光各向異性增強裝置，其特征在于，包括自下而上依次設置的高導電襯底(1)、絕緣層(2)、熒光層(3)、透光介質層(4)和納米線柵結構(5)，并且所述納米線柵結構(5)為權利要求1-2任一項所述的納米線柵結構。
5.根據權利要求4所述的熒光各向異性增強裝置，其特征在于，所述高導電襯底(1)為金屬或者高摻雜硅襯底。
6.根據權利要求4所述的熒光各向異性增強裝置，其特征在于，所述絕緣層(2)為二氧化硅層。
7.根據權利要求4所述的熒光各向異性增強裝置，其特征在于，所述熒光層(3)為單層二維半導體。
8.根據權利要求7所述的熒光各向異性增強裝置，其特征在于，所述單層二維半導體為過渡金屬硫族化合物原子層，所述過渡金屬硫族化合物表示為MX2，其中M＝Mo或W；X＝S、Se、Te；所述單層二維半導體厚度為0-0.6納米。
9.根據權利要求4所述的熒光各向異性增強裝置，其特征在于，所述透光介質層(4)為三氧化二鋁或二氧化硅層，厚度為10-40納米。
10.根據權利要求4所述的熒光各向異性增強裝置，其特征在于，所述熒光層(3)為有機熒光染料層；所述透光介質層(4)為聚甲基丙烯酸甲酯層。
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