[實用新型]用于芯片頻率響應的測試治具

有效

• 申請號: 201920646015.3
• 申請日: 2019-05-08
• 公開（公告）號: CN210109154U
• 公開（公告）日: 2020-02-21
• 發明（設計）人: 楊重英;蘇輝;薛正群;吳林福生
• 申請（專利權）人: 福建中科光芯光電科技有限公司
• 主分類號: G01R1/04
• 分類號: G01R1/04;G01R31/28
• 代理公司: 福州元創專利商標代理有限公司 35100
• 代理人: 林捷;蔡學俊

本實用新型涉及一種用于芯片頻率響應的測試治具，其特征在于：包括上、下夾層和設在上、下夾層之間的控溫器件，所述上夾層的上表面靠近第一邊緣設有用于放置測試樣品的凹陷槽，所述上夾層上從第二邊緣向中心部開設有沉孔，所述沉孔內設置有溫度傳感器。本實用新型結構設計簡單、合理，可以進行不同溫度的恒溫測試和對測試樣品全面分析。

技術領域：

本實用新型涉及一種用于用于芯片頻率響應的測試治具。

背景技術：

半導體激光器是成熟較早、進展較快的一類激光器，由于它的波長范圍寬，制作簡單、成本低、易于大量生產，并且由于體積小、重量輕、壽命長，因此，品種發展快，應用范圍廣，已超過300種，半導體激光器的最主要應用領域是Gb局域網，850nm波長的半導體激光器適用于）1Gb局域網，1300nm -1550nm波長的半導體激光器適用于1OGb局域網系統。半導體激光器的應用范圍覆蓋了整個光電子學領域，其自問世以來就得到了世界各國的廣泛關注與研究，成為世界上發展最快、應用最廣泛、最早走出實驗室實現商用化且產值最大的一類激光器，成為了當今光電子科學的核心技術。

高速直調半導體激光器具有結構簡單、尺寸小、能耗低的優勢,在收發模塊的尺寸以及能耗受到限制的情況下，在短距離的光互連技術領域將具有重要的應用價值。高速直調激光器的最核心指標是其具有的頻率響應頻率，也就是帶寬數值，在研發和使用過程都需要對這個重要指標進行測試和分析，測試不同溫度下的響應頻率，但目前還沒有一種針對該種高速直調半導體激光器芯片進行不同溫度下響應頻率的測試治具。

實用新型內容：

鑒于現有技術的不足，本實用新型所要解決的技術問題是提供一種用于芯片頻率響應的測試治具，該用于芯片頻率響應的測試治具不僅結構設計合理，而且可以進行不同溫度下的恒溫測試。

為了解決上述技術問題，本實用新型的技術方案是：一種用于芯片頻率響應的測試治具，其特征在于：包括上、下夾層和設在上、下夾層之間的控溫器件，所述上夾層的上表面靠近第一邊緣設有用于放置測試樣品的凹陷槽，所述上夾層上從第二邊緣向中心部開設有沉孔，所述沉孔內設置有溫度傳感器。

進一步的，上述上夾層和下夾層均為長方體銅塊，其中上夾層尺寸為50×50×5mm，下夾層尺寸為50×50×100mm。

進一步的，上述凹陷槽為矩形凹槽，其尺寸為5×5×0.15mm，其距離上夾層第一邊緣為0.5 mm。

進一步的，上述控溫器件為矩形板塊體，其夾設在上夾層的下表面與下夾層的上表面之間，在上、下夾層的周部相對應位置設有若干個用于穿接螺釘以鎖緊控溫器件的螺釘孔。

進一步的，上述控溫器件的上、下表面涂覆有導熱硅脂。

進一步的，上述沉孔為圓形孔，圓形孔延伸到上夾層的中心，圓孔直徑為1mm，圓孔長度為25mm。

與現有技術相比，本實用新型結構設計簡單、合理，可以進行不同溫度的恒溫測試和對測試樣品全面分析。

下面結合附圖和具體實施方式對本實用新型做進一步詳細的說明。

附圖說明：

圖1是本實用新型主視剖面構造示意圖；

圖2是圖1的俯視構造示意圖。

具體實施方式：

為讓本實用新型的上述特征和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合附圖，作詳細說明如下。

本實用新型用于芯片頻率響應的測試治具包括上夾層1、下夾層2和設在上、下夾層之間的控溫器件3，所述上夾層1的上表面靠近第一邊緣4設有用于放置測試樣品的凹陷槽5，所述上夾層1上從第二邊緣6向中心部開設有沉孔7，所述沉孔7內設置有溫度傳感器8。