[實用新型]一種高頻逆變器低雜散電感的母排

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201920587091.1
• 申請日: 2019-04-26
• 公開（公告）號: CN209881658U
• 公開（公告）日: 2019-12-31
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 刁利軍;劉博;李偉杰;顧誠博;刁利堅;梅偉耀;張艷
• 申請（專利權(quán)）人: 北京交通大學(xué);北京同力智達科技有限公司
• 主分類號: H02M7/00
• 分類號: H02M7/00;H01B5/02;H01R25/16
• 代理公司: 11578 北京集智東方知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 陳亞斌;關(guān)兆輝

1.一種高頻逆變器低雜散電感的母排，其特征在于，包括主母排和用于抑制母排雜散電感的吸收電容模塊；

所述主母排包括正銅排和負銅排兩層銅排，所述正銅排和所述負銅排疊層放置，在兩層銅排的中間以及兩側(cè)鋪設(shè)絕緣材料；所述主母排的兩端向同一側(cè)折疊，形成U型的雙層折疊結(jié)構(gòu)，所述U型的雙層折疊結(jié)構(gòu)包括依次連接的第一豎直部、水平部和第二豎直部，所述第一豎直部為直流輸入端；

所述吸收電容模塊包括用于吸收直流電壓振蕩的第一組吸收電容和用于提升功率密度的第二組吸收電容；

在所述水平部靠近所述第一豎直部的一側(cè)設(shè)置第一組電容接口，所述第一組電容接口用于接入所述第一組吸收電容；在所述第二豎直部的上端設(shè)置母線支撐電容接口，在所述第二豎直部的下端設(shè)置第二組電容接口，所述第二組電容接口用于接入所述第二組吸收電容，在所述第一組電容接口和所述第二組電容接口之間設(shè)置開關(guān)器件接口。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種高頻逆變器低雜散電感的母排，其特征在于，所述第一組吸收電容和所述第二組吸收電容并聯(lián)設(shè)置，所述第一組吸收電容和所述第二組吸收電容均包括若干個小電容，且每組吸收電容中的所有小電容并聯(lián)設(shè)置；

所述吸收電容模塊中每一個所述小電容的電容容量C_snub滿足：

式中，N為所述第一組吸收電容和所述第二組吸收電容中所有并聯(lián)小電容的個數(shù)，I_off為開關(guān)器件關(guān)斷時刻的瞬態(tài)電流值，L_bb為母排雜散電感值，△U₁為母排雜散電感引起的尖峰電壓值。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述一種高頻逆變器低雜散電感的母排，其特征在于，所述第一組吸收電容和所述第二組吸收電容均分別包括3-6個小電容。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述一種高頻逆變器低雜散電感的母排，其特征在于，所述第一組吸收電容和所述第二組吸收電容均分別包括3個小電容。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述一種高頻逆變器低雜散電感的母排，其特征在于，所述第一組吸收電容和所述第二組吸收電容均設(shè)置在所述第一豎直部和所述第二豎直部之間，所述第一組吸收電容設(shè)置在所述水平部的上部；在所述開關(guān)器件接口接入SiC MOSFET開關(guān)功率器件，所述SiC MOSFET開關(guān)功率器件設(shè)置在所述水平部的下部。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種高頻逆變器低雜散電感的母排，其特征在于，所述第一豎直部和所述第二豎直部向同一側(cè)折疊的角度均為直角，即所述第一豎直部和所述第二豎直部均相對于所述水平部垂直設(shè)置。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種高頻逆變器低雜散電感的母排，其特征在于，所述正銅排和所述負銅排的尺寸規(guī)格相同，即所述正銅排和所述負銅排的寬度、厚度和長度均相同；

所述母排雜散電感L_bb滿足：

式中，μ₀是常數(shù)，b是銅排寬度，D為兩層銅排的間距，h為銅排厚度，l為銅排長度；

控制銅排長度l為56.67cm，銅排寬度b為25.6cm，銅排厚度h為0.15cm，兩層銅排的間距D為0.05cm，母排雜散電感L_bb小于15nH。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種高頻逆變器低雜散電感的母排，其特征在于，在所述第二豎直部的上端設(shè)置的母線支撐電容接口為四個，兩負兩正。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種高頻逆變器低雜散電感的母排，其特征在于，所述高頻逆變器低雜散電感的母排的功率密度最高達15.84W/cm³；根據(jù)耐壓測試實驗數(shù)據(jù)，所述高頻逆變器低雜散電感的母排能夠承受電壓至少為DC5000V。