[實用新型]一種P型VDMOS的high-side高速驅(qū)動電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201920550018.7
• 申請日: 2019-04-22
• 公開（公告）號: CN210137309U
• 公開（公告）日: 2020-03-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 方建平;邊疆;張適
• 申請（專利權(quán)）人: 西安拓爾微電子有限責任公司
• 主分類號: H03K17/687
• 分類號: H03K17/687
• 代理公司: 西北工業(yè)大學專利中心 61204
• 代理人: 金鳳

本實用新型提供了一種P型VDMOS的high?side高速驅(qū)動電路，驅(qū)動電路芯片內(nèi)部電路設(shè)計簡單，不僅面積小而且還有很小的待機電流，驅(qū)動管的開啟時具有很快的上升時間和較好的壓擺率，根據(jù)不同的電路需求靈活VDMOS管的柵極電壓，得到不同的輸出電壓。適用于各種各樣的P型VDMOS器件，起到減小面積，降低成本的效果。本實用新型的VDMOS管的柵極電壓在5V?12V之間根據(jù)電路需求進行調(diào)整；在電路設(shè)計時對電流進行有效地溫度補償，不需要特殊的高壓工藝跟額外的Mask，并且使用過程安全可靠，不僅節(jié)約成本，還大大減少了研發(fā)周期。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電路領(lǐng)域，尤其是一種高壓VDMOS驅(qū)動電路。

背景技術(shù)

新世紀隨著科技不斷地發(fā)展，家用電器不斷地小型化集成化，也就加大了對芯片的需求。目前大量的電子產(chǎn)品中都需要采用驅(qū)動芯片來工作，對芯片的面積要求也是越小越好，成本越低越好。目前絕大多數(shù)驅(qū)動芯片中的電路設(shè)計所采用的工藝為CMOS工藝，如圖1所示：電路通過Reference電路將輸入的VCC電壓轉(zhuǎn)換成VCC-5V的電路內(nèi)部工作電壓，通過Level Shift電路將VCC電壓轉(zhuǎn)換成電路中可以切換的不同工作電壓，進一步驅(qū)動Drive電路產(chǎn)生驅(qū)動MOS管柵極的電壓，MOS管開啟，電路開始工作。這種電路目前存在一些缺點：內(nèi)部電路比較復(fù)雜，功率管開啟時間過長，并且對MOS驅(qū)動管必須采用高柵壓的工藝，就會導(dǎo)致芯片占用的面積過大，造成芯片的待機電流很大，在流片時還需要額外的Mask，增加了芯片的設(shè)計成本。

發(fā)明內(nèi)容

為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供一種驅(qū)動電壓可調(diào)的P型VDMOS的high-side高速驅(qū)動電路，驅(qū)動電路芯片內(nèi)部電路設(shè)計簡單，對MOS管的工藝無特殊要求，不僅面積小而且還有很小的待機電流，驅(qū)動管的開啟時具有很快的上升時間和較好的壓擺率，可以根據(jù)不同的電路需求靈活VDMOS管的柵極電壓，可以得到不同的輸出電壓。可以很好地適用于各種各樣的P型VDMOS器件，起到減小面積，降低成本的效果。

本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：

一種P型VDMOS的high-side高速驅(qū)動電路，包括P溝道增強型MOS管PM1-PM8，高壓P溝道增強型MOS管PM9-PM10，N溝道增強型MOS管NM1-NM12，高壓VDMOS管VDMOS1，電阻R1-R2，穩(wěn)壓二極管D1-D2，電流源IDC，反相器INV1-INV3，或非門NOR1-NOR2，遲滯電路Delay1-Delay2，高壓輸入端口VCC、輸出端口VOUT和邏輯輸入端口HS-ON。