[實(shí)用新型]磁性隨機(jī)存儲器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201920478175.1 | 申請日: | 2019-04-10 |
| 公開(公告)號: | CN209658234U | 公開(公告)日: | 2019-11-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 平爾萱;朱一明 | 申請(專利權(quán))人: | 長鑫存儲技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L43/08 | 分類號: | H01L43/08;H01L43/12;H01L27/22 |
| 代理公司: | 31294 上海盈盛知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人: | 孫佳胤;董琳<國際申請>=<國際公布>= |
| 地址: | 230001 安徽省合肥市蜀山*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 磁性隨機(jī)存儲器 磁性存儲單元 磁性存儲層 基底表面 存儲層 磁性隧道結(jié) 導(dǎo)電接觸 垂直貫穿 菱形陣列 陣列形式 堆疊 基底 兩層 排布 | ||
1.一種磁性隨機(jī)存儲器,其特征在于,包括:
基底,所述基底表面形成有導(dǎo)電接觸墊;
位于所述基底表面的磁性存儲層,所述磁性存儲層包括位于基底表面堆疊的至少兩層子存儲層,所述磁性存儲層內(nèi)包括垂直貫穿各子存儲層且與所述導(dǎo)電接觸墊連接的多個磁性存儲單元,所述多個磁性存儲單元按照菱形陣列單元的陣列形式排布,所述磁性存儲單元包括磁性隧道結(jié),每一子存儲層內(nèi)包括至少一個磁性隧道結(jié)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁性隨機(jī)存儲器,其特征在于,各菱形陣列單元的尺寸相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁性隨機(jī)存儲器,其特征在于,所述多個磁性存儲單元的磁性隧道結(jié)隨機(jī)排布于各子存儲層內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁性隨機(jī)存儲器,其特征在于,相鄰磁性存儲單元的磁性隧道結(jié)分別位于不同的子存儲層內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁性隨機(jī)存儲器,其特征在于,各子存儲層內(nèi)的磁性隧道結(jié)以陣列形式排布。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的磁性隨機(jī)存儲器,其特征在于,各子存儲層內(nèi)的磁性隧道結(jié)以菱形陣列單元或矩形陣列單元的陣列形式排布。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁性隨機(jī)存儲器,其特征在于,所述磁性存儲層內(nèi),相鄰磁性存儲單元之間的間距為a;同一子存儲層內(nèi),相鄰磁性隧道結(jié)之間的最小間距為n為所述磁性存儲層內(nèi)的子存儲層的層數(shù)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁性隨機(jī)存儲器,其特征在于,同一行以及同一列的磁性存儲單元的磁性隧道結(jié)自基底表面向上順次位于各子存儲層內(nèi)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁性隨機(jī)存儲器,其特征在于,各磁性存儲單元還包括導(dǎo)電柱,所述導(dǎo)電柱位于所在磁性存儲單元內(nèi)的磁性隧道結(jié)上和/或下方的子存儲層內(nèi),與所述磁性隧道結(jié)電連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁性隨機(jī)存儲器,其特征在于,所述磁性存儲層的相鄰磁性存儲單元之間填充有介質(zhì)層。
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