[實用新型]雙向功率器件

有效

• 申請號: 201920447431.0
• 申請日: 2019-04-03
• 公開（公告）號: CN210224040U
• 公開（公告）日: 2020-03-31
• 發明（設計）人: 張邵華
• 申請（專利權）人: 杭州士蘭微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/78
• 代理公司: 北京成創同維知識產權代理有限公司 11449
• 代理人: 蔡純;岳丹丹

1.一種雙向功率器件，其特征在于，包括：

半導體層；

位于半導體層中的溝槽；

位于所述溝槽側壁上的柵介質層；

位于所述溝槽內的控制柵，所述控制柵從所述半導體層的第一表面延伸至所述溝槽下部；

其中，所述控制柵與所述半導體層之間由所述柵介質層隔開。

2.根據權利要求1所述的雙向功率器件，其特征在于，位于所述半導體層中且鄰近控制柵的源區和漏區，位于所述半導體層中且鄰近所述溝槽下部的控制柵的溝道區。

3.根據權利要求2所述的雙向功率器件，其特征在于，所述源區和漏區從所述半導體層的第一表面延伸至與所述溝槽下部的控制柵交疊。

4.根據權利要求2所述的雙向功率器件，其特征在于，所述源區和漏區在所述半導體層中延伸的長度為0.5～1.5um。

5.根據權利要求2所述的雙向功率器件，其特征在于，所述半導體層的摻雜類型為第一摻雜類型，所述源區和漏區的摻雜類型為第二摻雜類型，所述溝道區的摻雜類型為第一摻雜類型或第二摻雜類型，第一摻雜類型和第二摻雜類型相反。

6.根據權利要求1所述的雙向功率器件，其特征在于，所述溝槽的長度為1.2～2.2um，寬度為0.1～0.6um。

7.根據權利要求1所述的雙向功率器件，其特征在于，所述半導體層選自半導體襯底本身、在半導體襯底上形成的外延層或者在半導體襯底中注入的阱區中的一種。

8.根據權利要求2所述的雙向功率器件，其特征在于，還包括：

第一接觸，與所述源區相接觸以形成第一輸出電極；

第二接觸，與所述漏區相接觸以形成第二輸出電極；

第三接觸，與所述半導體層相接觸以形成襯底電極；

第四接觸，與所述控制柵相接觸以形成柵電極。

9.根據權利要求8所述的雙向功率器件，其特征在于，還包括：

第一引線區，位于所述源區內，其中，第一引線區的摻雜濃度大于所述源區的摻雜濃度；

覆蓋介質層，位于所述半導體層的第一表面上；

第一接觸孔，貫穿所述覆蓋介質層延伸至所述源區；

所述第一接觸通過第一接觸孔、第一引線區與所述源區相接觸。

10.根據權利要求9所述的雙向功率器件，其特征在于，還包括：

第二引線區，位于所述漏區內，其中，第二引線區的摻雜濃度大于所述漏區的摻雜濃度；

第二接觸孔，貫穿所述覆蓋介質層延伸至所述漏區；

所述第二接觸通過第二接觸孔、第二引線區與所述漏區相接觸。

11.根據權利要求10所述的雙向功率器件，其特征在于，還包括：

第三引線區，位于所述半導體層內且靠近所述半導體層的第一表面，其中，所述第三引線區的摻雜濃度大于半導體層的摻雜濃度；

第三接觸孔，貫穿所述覆蓋介質層延伸至所述半導體層；

所述第三接觸通過第三接觸孔、第三引線區與所述半導體層相接觸。

12.根據權利要求10所述的雙向功率器件，其特征在于，還包括：

第四接觸孔，貫穿所述覆蓋介質層延伸至所述控制柵。

13.根據權利要求10所述的雙向功率器件，其特征在于，所述第三接觸位于所述半導體層的第二表面上。

14.根據權利要求8所述的雙向功率器件，其特征在于，還包括：

布線層，所述布線層包括第一布線至第四布線，分別通過多個導電孔與所述第一輸出電極、第二輸出電極、襯底電極以及柵電極電連接。