[實用新型]基于超晶格勢壘量子阱結構的LED

有效

• 申請號: 201920401418.1
• 申請日: 2019-03-27
• 公開（公告）號: CN209461482U
• 公開（公告）日: 2019-10-01
• 發明（設計）人: 董海亮;賈志剛;關永莉;梁建;米洪龍;許并社;陳永壽;陜志芳
• 申請（專利權）人: 山西飛虹微納米光電科技有限公司;太原理工大學
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00;B82Y40/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種基于超晶格勢壘量子阱結構的LED，其特征在于，包括：

藍寶石襯底；

設置于藍寶石襯底上面的GaN形核層；

設置于GaN形核層上面的未摻雜的GaN層；

設置于未摻雜的GaN層上面的n型GaN層；

設置于n型GaN層上面的量子阱區，所述量子阱區從下至上包括8～15周期的第一區域和3～10周期的第二區域，所述第一區域包括從下至上設置的3～10周期的超晶格Al_xIn_yGa_1-x-yN/GaN勢壘層和InGaN勢阱層，所述第二區域包括3～10周期的Al_xIn_yGa_1-x-yN/GaN勢壘層；

設置于第二區域上面的p型AlGaN電子阻擋層；

設置于p型AlGaN電子阻擋層上面的p型GaN層；

設置于p型GaN層上面的電極接觸層。

2.根據權利要求1所述的基于超晶格勢壘量子阱結構的LED，其特征在于，所述n型GaN層為Si摻雜的n型GaN層。

3.根據權利要求1所述的基于超晶格勢壘量子阱結構的LED，其特征在于，所述p型GaN層為Mg摻雜的p型GaN層。

4.根據權利要求1所述的基于超晶格勢壘量子阱結構的LED，其特征在于，所述藍寶石襯底的厚度為300～400μm；所述GaN形核層的厚度為20～30nm；所述未摻雜的GaN層的厚度為1.5～2.5μm；所述n型GaN層的厚度為1～2μm；所述p型AlGaN電子阻擋層的厚度為40～80nm；所述p型GaN層的厚度為200～300nm；所述電極接觸層的厚度為50～100nm。

5.根據權利要求1所述的基于超晶格勢壘量子阱結構的LED，其特征在于，每個周期的超晶格Al_xIn_yGa_1-x-yN/GaN勢壘層中超晶格Al_xIn_yGa_1-x-yN壘層的厚度為3～10nm，超晶格GaN層的厚度為3～10nm。

6.根據權利要求1所述的基于超晶格勢壘量子阱結構的LED，其特征在于，所述InGaN勢阱層的厚度為3～10nm。