[實(shí)用新型]射頻開(kāi)關(guān)和射頻開(kāi)關(guān)單元

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201920349737.2
• 申請(qǐng)日: 2019-03-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN209710070U
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-11-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 巴克爾·斯科特;喬治·馬克西姆;迪爾克·羅伯特·沃爾特·萊波爾德
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: QORVO美國(guó)公司
• 主分類號(hào): H03K17/687
• 分類號(hào): H03K17/687
• 代理公司: 11240 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 梁麗超<國(guó)際申請(qǐng)>=<國(guó)際公布>=<進(jìn)入

公開(kāi)了一種射頻開(kāi)關(guān)和射頻開(kāi)關(guān)單元，射頻開(kāi)關(guān)具有第一節(jié)點(diǎn)、第二節(jié)點(diǎn)和串聯(lián)聯(lián)接在所述第一節(jié)點(diǎn)與所述第二節(jié)點(diǎn)之間的多個(gè)開(kāi)關(guān)單元。多個(gè)開(kāi)關(guān)單元中的每一者由具有主漏極端子、主源極端子、主柵極端子和主體端子的主場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)構(gòu)成。還包括：第一體偏置FET，第一體偏置FET具有聯(lián)接到主柵極端子的第一漏極端子、聯(lián)接到主漏極端子的第一柵極端子、聯(lián)接到主體端子的第一體端子，以及第一源極端子；以及第二體偏置FET，第二體偏置FET具有聯(lián)接到主柵極端子的第二漏極端子、聯(lián)接到主體端子的第二體端子，以及聯(lián)接到第一源極端子的第二源極端子。本公開(kāi)提供了較低的射頻插入損耗和較低的總裸片占用面積。

相關(guān)申請(qǐng)

本申請(qǐng)涉及2018年2月28日提交的標(biāo)題為“射頻開(kāi)關(guān)(RADIO FREQUENCY SWITCH)”的美國(guó)專利申請(qǐng)第15/907,631號(hào)，其公開(kāi)內(nèi)容特此以全文引用的方式并入本文中。本申請(qǐng)還涉及2017年4月24日提交的標(biāo)題為“具有場(chǎng)效應(yīng)晶體管單元的電子部件(ELECTRONICCOMPONENT HAVING FIELD EFFECT TRANSISTOR CELLS)”的美國(guó)專利申請(qǐng)第15/494,605號(hào)，其要求于2017年1月6日提交的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)第62/443,047號(hào)的優(yōu)先權(quán)，所述兩案的公開(kāi)內(nèi)容特此以全文引用的方式并入本文中。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開(kāi)的實(shí)施方案涉及射頻開(kāi)關(guān)電路。

背景技術(shù)

射頻(RF)收發(fā)器的重要電子部件是構(gòu)成堆疊式FET型RF開(kāi)關(guān)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)。基于FET的RF開(kāi)關(guān)通常需要線性補(bǔ)償，以防止在RF開(kāi)關(guān)處于閉合狀態(tài)時(shí)將發(fā)射信號(hào)施加到RF開(kāi)關(guān)時(shí)產(chǎn)生諧波失真。RF開(kāi)關(guān)在閉合狀態(tài)下有效斷開(kāi)，并且防止發(fā)射信號(hào)通過(guò)RF開(kāi)關(guān)。然而，當(dāng)RF開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí)，部分地由于RF開(kāi)關(guān)固有的非線性電容而從發(fā)射信號(hào)產(chǎn)生不期望的諧波。不期望的諧波從RF開(kāi)關(guān)傳遞，并且干擾RF收發(fā)器的接收器電路。

傳統(tǒng)的斷開(kāi)狀態(tài)線性化網(wǎng)絡(luò)與RF開(kāi)關(guān)并聯(lián)放置，以減少不期望的諧波。雖然傳統(tǒng)的斷開(kāi)狀態(tài)線性化網(wǎng)絡(luò)確實(shí)在發(fā)射信號(hào)在閉合狀態(tài)下應(yīng)用于RF開(kāi)關(guān)時(shí)減少了諧波失真，但傳統(tǒng)的斷開(kāi)狀態(tài)線性化網(wǎng)絡(luò)占用了寶貴的電路占用面積，因?yàn)槠湫枰獠科秒娐贰Ｖ匦芦@得寶貴占用面積需要不需要外部偏置電路的斷開(kāi)狀態(tài)線性化網(wǎng)絡(luò)。

實(shí)用新型內(nèi)容

公開(kāi)了一種射頻開(kāi)關(guān)，所述射頻開(kāi)關(guān)具有第一節(jié)點(diǎn)、第二節(jié)點(diǎn)和串聯(lián)聯(lián)接在所述第一節(jié)點(diǎn)與所述第二節(jié)點(diǎn)之間的多個(gè)開(kāi)關(guān)單元。所述多個(gè)開(kāi)關(guān)單元中的每一者由具有主漏極端子、主源極端子、主柵極端子和主體端子的主場(chǎng)效應(yīng)晶體管和斷開(kāi)狀態(tài)線性化網(wǎng)絡(luò)構(gòu)成。所述斷開(kāi)狀態(tài)線性化網(wǎng)絡(luò)包括：第一體偏置場(chǎng)效應(yīng)晶體管，所述第一體偏置場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有聯(lián)接到所述主柵極端子的第一漏極端子、聯(lián)接到所述主漏極端子的第一柵極端子、聯(lián)接到所述主體端子的第一體端子，以及第一源極端子；以及第二體偏置場(chǎng)效應(yīng)晶體管，所述第二體偏置場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有聯(lián)接到所述主柵極端子的第二漏極端子、聯(lián)接到所述主體端子的第二體端子，以及聯(lián)接到所述第一源極端子的第二源極端子。

優(yōu)選地，所述主體端子聯(lián)接到所述第一源極端子和所述第二源極端子。

優(yōu)選地，所述第一體偏置場(chǎng)效應(yīng)晶體管和所述第二體偏置場(chǎng)效應(yīng)晶體管是n型場(chǎng)效應(yīng)晶體管裝置。

優(yōu)選地，所述第一體偏置場(chǎng)效應(yīng)晶體管和所述第二體偏置場(chǎng)效應(yīng)晶體管與所述主場(chǎng)效應(yīng)晶體管共享體擴(kuò)散區(qū)。

優(yōu)選地，所述第一體偏置場(chǎng)效應(yīng)晶體管和所述第二體偏置場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有與所述主場(chǎng)效應(yīng)晶體管的體擴(kuò)散區(qū)分離的體擴(kuò)散區(qū)。

優(yōu)選地，所述主場(chǎng)效應(yīng)晶體管比所述第一體偏置場(chǎng)效應(yīng)晶體管或所述第二體偏置場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的任一者大至少1000倍。

優(yōu)選地，所述主場(chǎng)效應(yīng)晶體管比所述第一體偏置場(chǎng)效應(yīng)晶體管或所述第二體偏置場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的任一者大1000倍至3000倍。