[實(shí)用新型]SOT雙芯片引線框架結(jié)構(gòu)及SOT雙芯片引線框架組件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201920306034.1
• 申請(qǐng)日: 2019-03-11
• 公開（公告）號(hào): CN209515654U
• 公開（公告）日: 2019-10-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 施錦源;劉興波;宋波;唐海波
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市信展通電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/495
• 分類號(hào): H01L23/495
• 代理公司: 深圳市中科創(chuàng)為專利代理有限公司 44384
• 代理人: 譚雪婷;謝亮

本實(shí)用新型適用于電子產(chǎn)品技術(shù)領(lǐng)域，提供了SOT雙芯片引線框架結(jié)構(gòu)及SOT雙芯片引線框架組件，包括內(nèi)引腳、外引腳和兩個(gè)基島，基島以及內(nèi)引腳均位于一四邊形內(nèi)，且兩個(gè)基島分別位于該四邊形的一組對(duì)角處，每個(gè)基島旁沿著該四邊形的橫邊排列有2個(gè)內(nèi)引腳，每個(gè)基島分別電連接兩個(gè)內(nèi)引腳，外引腳的數(shù)量為6個(gè)，每個(gè)外引腳分別連接一個(gè)內(nèi)引腳或者基島。該SOT雙芯片引線框架結(jié)構(gòu)，具有6個(gè)有效的外引腳，兩個(gè)基島，可適用于封裝兩顆分別需要3個(gè)引出端子的芯片，尤其是兩顆MOS管芯的產(chǎn)品(雙N管、雙P管或N+P復(fù)合管)，整體體積較小，封裝后可滿足電子產(chǎn)品對(duì)于小體積的需求，可以滿足封裝后對(duì)于散熱性以及內(nèi)阻的需求，生產(chǎn)制造較為簡單，成本相對(duì)較低。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型屬于電子產(chǎn)品技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及到一種SOT雙芯片引線框架結(jié)構(gòu)及SOT雙芯片引線框架組件。

背景技術(shù)

芯片封裝，是一種將集成電路用絕緣的塑料或陶瓷材料打包的技術(shù)，不僅起到安放、固定、密封、保護(hù)芯片和增強(qiáng)導(dǎo)熱性能的作用，而且還是溝通芯片內(nèi)部世界與外部電路的橋梁。

小外形晶體管封裝(SOT,Small Outline Transistor)是目前常用的一種小型貼片式封裝。MOS管是目前十分常見的一種分立器件，相對(duì)IC而言，由于其獨(dú)特的開關(guān)特性具有不可替代的優(yōu)勢(shì)，廣泛應(yīng)用在消費(fèi)類、便攜式電子產(chǎn)品中。就目前而言，單管MOS芯片和雙管MOS芯片的應(yīng)用范圍比多管芯的更廣更靈活一些。單管芯MOSFET有Gate、Source、Drain三個(gè)電極，雙管芯MOSFET則有2個(gè)Gate、2個(gè)Source、2個(gè)Drain共6個(gè)電極，其封裝至少需要6個(gè)端子，可選擇的封裝形式有SOT23-6、SOP8等等。SOP8封裝散熱性更好，但封裝體積大，內(nèi)阻較大，用來封裝雙管MOS則有2個(gè)端子浪費(fèi)掉了，且封裝成本高；SOT23-6散熱性、內(nèi)阻和體積都比較適中，但用來封裝超小型的雙管MOS芯片(長邊不超過0.5mm)則體積占用得大了一些，在便攜式電子產(chǎn)品對(duì)于體積格外敏感的今天顯得不那么適合。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)中超小型雙管MOS芯片封裝結(jié)構(gòu)體積大以及成本過高的不足，提供了一種SOT雙芯片引線框架結(jié)構(gòu)。

本實(shí)用新型是這樣實(shí)現(xiàn)的：一種SOT雙芯片引線框架結(jié)構(gòu)，其包括內(nèi)引腳、外引腳以及兩個(gè)用于安裝芯片的基島，其中，所述基島以及所述內(nèi)引腳均位于一四邊形內(nèi)，且兩個(gè)所述基島分別位于該四邊形的一組對(duì)角處，所述內(nèi)引腳的數(shù)量為4個(gè)，每個(gè)所述基島旁沿著該四邊形的橫邊排列有2個(gè)所述內(nèi)引腳，每個(gè)所述基島分別電連接兩個(gè)所述內(nèi)引腳，所述外引腳的數(shù)量為6個(gè)，每個(gè)所述外引腳的內(nèi)端分別連接一個(gè)所述內(nèi)引腳或者所述基島。

作為本實(shí)用新型的一個(gè)優(yōu)選方案，所述內(nèi)引腳與相鄰的所述內(nèi)引腳之間的距離大于等于0.125mm。

作為本實(shí)用新型的一個(gè)優(yōu)選方案，所述內(nèi)引腳與相鄰的所述基島之間的距離大于等于0.125mm。

作為本實(shí)用新型的一個(gè)優(yōu)選方案，所述外引腳與相鄰的所述外引腳之間的距離為0.15mm。

作為本實(shí)用新型的一個(gè)優(yōu)選方案，所述基島的長度為0.7mm，所述基島的寬度為0.49mm。

本實(shí)用新型還提供了一種SOT雙芯片引線框架組件，其包括基板以及多個(gè)如上述所述的SOT雙芯片引線框架結(jié)構(gòu)。

作為本實(shí)用新型的一個(gè)優(yōu)選方案，多個(gè)所述SOT雙芯片引線框架結(jié)構(gòu)呈矩陣式排列設(shè)置在所述基板上。

作為本實(shí)用新型的一個(gè)優(yōu)選方案，多個(gè)所述SOT雙芯片引線框架結(jié)構(gòu)呈6排排列設(shè)置在所述基板上。

作為本實(shí)用新型的一個(gè)優(yōu)選方案，所述基板的長度為215.6mm，所述基板的寬度為28.08mm。

作為本實(shí)用新型的一個(gè)優(yōu)選方案，所述SOT雙芯片引線框架結(jié)構(gòu)的數(shù)量為336。