[實用新型]GaN基半導體器件結構有效
| 申請號： | 201920305794.0 | 申請日： | 2019-03-11 |
| 公開（公告）號： | CN209691720U | 公開（公告）日： | 2019-11-26 |
| 發明（設計）人： | 郝茂盛;張楠;陳朋;袁根如 | 申請（專利權）人： | 上海芯元基半導體科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;H01L21/283 |
| 代理公司： | 31219 上海光華專利事務所(普通合伙) | 代理人： | 余明偉<國際申請>=<國際公布>=<進入 |
| 地址： | 201209 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 凸起 器件結構 本實用新型 絕緣層覆蓋 絕緣層 載流子 顯露 芯片 平坦化處理 漏電 后續電極 間隔排布 電絕緣 電連接 擊穿 絕緣 | ||
1.一種GaN基半導體器件結構，其特征在于，所述GaN基半導體器件結構包括：
GaN層，所述GaN層包括多個間隔排布的GaN凸起，相鄰的所述GaN凸起之間包括凹槽；
絕緣層，所述絕緣層覆蓋所述凹槽的表面，且顯露所述GaN凸起的頂部。
2.根據權利要求1所述的GaN基半導體器件結構，其特征在于：所述絕緣層包括氧化硅層、氮化硅層、氧化鈦層、氧化鋁層及絕緣膠水層中的一種或組合。
3.根據權利要求1所述的GaN基半導體器件結構，其特征在于：所述絕緣層填滿所述凹槽，且所述絕緣層的上表面與所述GaN凸起的頂部齊平。
4.根據權利要求1所述的GaN基半導體器件結構，其特征在于：所述GaN凸起的橫截面形貌包括矩形、正方形、三角形及梯形中的一種或組合。
5.根據權利要求1所述的GaN基半導體器件結構，其特征在于：所述凹槽的橫截面形貌包括“U”字形、“V”字形、矩形、正方形及梯形中的一種或組合。
6.根據權利要求1所述的GaN基半導體器件結構，其特征在于：還包括與所述GaN凸起的頂部電連接的電極層。
7.根據權利要求1所述的GaN基半導體器件結構，其特征在于：還包括歐姆接觸層，所述歐姆接觸層覆蓋所述GaN凸起的頂部。
8.根據權利要求7所述的GaN基半導體器件結構，其特征在于：所述歐姆接觸層包括鉻金屬層、鎳金屬層及鈦金屬層中的一種或組合。
9.根據權利要求1所述的GaN基半導體器件結構，其特征在于：還包括鍵合襯底，所述鍵合襯底包括導電鍵合襯底。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
