[發明專利]半導體裝置及其制法

有效

• 申請號: 201310449992.1
• 申請日: 2013-09-27
• 公開（公告）號: CN104425417B
• 公開（公告）日: 2018-01-23
• 發明（設計）人: 林長甫;姚進財;張宏銘;莊旻錦;黃富堂
• 申請（專利權）人: 矽品精密工業股份有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司11314
• 代理人: 程偉,王錦陽

1.一種半導體裝置，其包括：

基板，其具有相鄰的二連接墊；

半導體組件，其具有對應于各該連接墊的焊墊與形成于該些焊墊上的凸塊底下金屬層；

導電組件，其具有依序形成于該凸塊底下金屬層上的第一導電部與第二導電部；

焊球，其形成于該第二導電部與該連接墊之間，其中，該第二導電部、該焊球與該連接墊三者的寬度皆小于該第一導電部的寬度；以及

膠體，其形成于該基板與該半導體組件之間以包覆該導電組件，且該膠體直接接觸該基板。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，該半導體裝置還包括形成于該半導體組件的表面及該些焊墊上的介電層，且該介電層具有第一開孔以外露出該些焊墊，該凸塊底下金屬層形成于該介電層及該第一開孔所外露的焊墊上。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，該凸塊底下金屬層的表面上形成有第二開孔，該第一導電部形成于該凸塊底下金屬層的表面上及第二開孔內。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，該第二導電部的寬度為該第一導電部的寬度的30％至70％。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，該第二導電部的高度為該第一導電部的高度的25％至50％。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，該第一導電部與該第二導電部為一體成形或分別形成。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，該第一導電部與該第二導電部為相同材質或不同材質。

8.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，該導電組件為銅柱，該第一導電部與該第二導電部的材質為銅材。

9.一種半導體裝置的制法，其包括：

提供基板與半導體組件，該基板具有相鄰的二連接墊，該半導體組件具有形成于其表面上且對應于各該連接墊的焊墊；

形成金屬層于該些焊墊上；

形成第一導電部于該金屬層上；

形成第二導電部于該第一導電部上；

形成焊球于該第二導電部上，且該第二導電部、該焊球與該連接墊三者的寬度皆小于該第一導電部的寬度；以及

形成膠體于該基板與該半導體組件之間以包覆導電組件，且該膠體直接接觸該基板。

10.根據權利要求9所述的半導體裝置的制法，其特征在于，該制法還包括形成介電層于該半導體組件的表面及該些焊墊上，且該介電層具有第一開孔以外露出該些焊墊，該金屬層形成于該介電層及該第一開孔所外露的焊墊上。

11.根據權利要求9所述的半導體裝置的制法，其特征在于，該金屬層的表面上形成有第二開孔，該第一導電部形成于該金屬層的表面上及該第二開孔內。

12.根據權利要求9所述的半導體裝置的制法，其特征在于，該第二導電部的寬度為該第一導電部的寬度的30％至70％。

13.根據權利要求9所述的半導體裝置的制法，其特征在于，該第二導電部的高度為該第一導電部的高度的25％至50％。

14.根據權利要求9所述的半導體裝置的制法，其特征在于，形成該第一導電部于該金屬層上的步驟包括：

形成第一阻層于該金屬層上，且該第一阻層具有對應于該些焊墊的第一開口以外露出該金屬層；

形成該第一導電部于該第一開口所外露的金屬層上；以及

移除該第一阻層。

15.根據權利要求14所述的半導體裝置的制法，其特征在于，形成該第二導電部于該第一導電部上的步驟包括：

形成第二阻層于該金屬層及該第一導電部上，該第二阻層具有第二開口以外露出該第一導電部，且該第二開口的寬度小于該第一開口的寬度；以及

形成該第二導電部于該第二開口內的第一導電部上。

16.根據權利要求15所述的半導體裝置的制法，其特征在于，形成該焊球于該第二導電部上的步驟包括：

形成焊料于該第二開口內的第二導電部上；

進行加熱以使該焊料形成該焊球；以及

移除該第二阻層。

17.根據權利要求9所述的半導體裝置的制法，其特征在于，該制法還包括移除該第一導電部的周緣所對應的金屬層以外的金屬層以形成凸塊底下金屬層。

18.根據權利要求9所述的半導體裝置的制法，其特征在于，該焊球形成于該第二導電部與該連接墊之間。