[實用新型]晶圓承載裝置及曝光設備

有效

• 申請號: 201920268520.9
• 申請日: 2019-03-04
• 公開（公告）號: CN209401607U
• 公開（公告）日: 2019-09-17
• 發明（設計）人: 周冬
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/687;G03F7/20
• 代理公司: 北京律智知識產權代理有限公司 11438
• 代理人: 袁禮君;闞梓瑄

本公開提供了一種晶圓承載裝置及曝光設備，屬于光刻設備技術領域。該晶圓承載裝置包括反射鏡塊、晶圓臺和負壓組件；其中，反射鏡塊具有承載表面和清潔通道；所述承載表面設置有清潔開口，且所述清潔開口與所述清潔通道連通；晶圓臺設于所述承載表面，且設有支撐銷孔；負壓組件與所述清潔通道連接，用于向所述清潔開口提供負壓。本公開的晶圓承載裝置及曝光設備，能夠提高晶圓臺的平坦度，提高半導體器件的良率。

技術領域

本公開涉及光刻設備技術領域，尤其涉及一種晶圓承載裝置及曝光設備。

背景技術

在半導體制備過程中，晶圓(wafer)需要固定在晶圓承載裝置上。

晶圓承載裝置包括承載晶圓的晶圓臺和承載晶圓臺的反射鏡塊(mirror block)，晶圓臺通過多個固定件固定在反射鏡塊上。晶圓臺與反射鏡塊之間不能絕對吸合，因此微塵等顆粒物容易積附于兩者之間的縫隙中，導致晶圓臺的平坦性降低，進而導致設于晶圓臺上的晶圓平坦性下降，降低了半導體器件的良率。

所述背景技術部分公開的上述信息僅用于加強對本公開的背景的理解，因此它可以包括不構成對本領域普通技術人員已知的現有技術的信息。

實用新型內容

本公開的目的在于提供一種晶圓承載裝置及曝光設備，用于提高晶圓臺的平坦度，提高半導體器件的良率。

為實現上述實用新型目的，本公開采用如下技術方案：

根據本公開的第一個方面，提供一種晶圓承載裝置，包括：

反射鏡塊，具有承載表面和清潔通道；所述承載表面設置有清潔開口，且所述清潔開口與所述清潔通道連通；

晶圓臺，設于所述承載表面，且設有支撐銷孔；

負壓組件，與所述清潔通道連接，用于向所述清潔開口提供負壓。

在本公開的一種示例性實施例中，所述清潔開口包括第一清潔開口，且所述第一清潔開口與所述晶圓臺在所述承載表面的正投影至少部分重合。

在本公開的一種示例性實施例中，所述第一清潔開口的數量為多個，多個所述第一清潔開口沿所述晶圓臺在所述承載表面的正投影的邊緣設置。

在本公開的一種示例性實施例中，每一個所述第一清潔開口設于所述晶圓臺在所述承載表面的正投影內，且每一個所述第一清潔開口的邊緣與所述晶圓臺在所述承載表面的正投影的邊緣之間的最小距離為0～1mm。

在本公開的一種示例性實施例中，所述清潔開口包括第二清潔開口，且所述第二清潔開口與所述支撐銷孔在所述承載表面的正投影至多部分重合。

在本公開的一種示例性實施例中，所述支撐銷孔的數量為多個，且沿任一所述支撐銷孔在所述承載表面的正投影的邊緣設置有多個所述第二清潔開口。

在本公開的一種示例性實施例中，每個所述第二清潔開口位于所述支撐銷孔在所述承載表面的正投影以外；

沿任一所述支撐銷孔在所述承載表面的正投影的邊緣設置的任一所述第二清潔開口，與同一所述支撐銷孔在所述承載表面的正投影的邊緣的最小距離為0～1mm。

在本公開的一種示例性實施例中，所述清潔開口的數量為多個，任一所述清潔開口與最近的所述清潔開口的最小距離為0.5～1.5mm。

在本公開的一種示例性實施例中，所述清潔開口為直徑為0.5～1.5mm的圓形。

在本公開的一種示例性實施例中，所述晶圓承載裝置還包括：

第一電磁閥，具有第一開口、第二開口和控制端，且所述第一電磁閥的第一開口與所述負壓組件的負壓出口連接；

第一連接管路，連接所述清潔通道和所述第一電磁閥的第二開口；