[實用新型]基于玻璃的芯片再布線封裝結構

有效

• 申請號: 201920190636.5
• 申請日: 2019-01-31
• 公開（公告）號: CN209658166U
• 公開（公告）日: 2019-11-19
• 發明（設計）人: 姜峰;王陽紅
• 申請（專利權）人: 廈門云天半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L21/48
• 代理公司: 35204 廈門市首創君合專利事務所有限公司
• 代理人: 張松亭;陳淑嫻<國際申請>=<國際公布>

本實用新型公開了一種基于玻璃的芯片再布線封裝結構，包括玻璃基板、設有第一焊盤的芯片、填充層、第一金屬再布線層、鈍化層和第二焊盤；玻璃基板設有上下貫穿的第一通孔，芯片設于第一通孔內且第一焊盤朝上；填充層填充于第一通孔和芯片的設置間隙中并延伸至覆蓋玻璃基板和芯片的上表面，且于對應第一焊盤區域開口；第一金屬再布線層設于填充層上并與第一焊盤連接；鈍化層設于第一金屬再布線層上并設有開口；第二焊盤設于鈍化層上并與第一金屬再布線層連接。本實用新型的芯片再布線結構緊湊，可實現超薄封裝，同時利用了玻璃作為主要材料，更適用于高頻器件，實現更優的電性能。

技術領域

本實用新型涉及半導體封裝技術領域，尤其涉及一種基于玻璃的芯片再布線封裝結構。

背景技術

隨著電子產品多功能化和小型化的潮流，尤其是智能手機、平板電腦、可穿戴設備等產品的發展，芯片功能變得越來越復雜，芯片尺寸越來越小，I/O數越來越多，Fan-in(扇入) 封裝已不能滿足I/O扇出的要求。Fan-out(扇出)封裝技術是對fan-in封裝技術的補充，通過再構圓片的方式將芯片I/O端口引出。

fan-out工藝在2008年就開始應用，主要是英飛凌無線的eWLB(Embedded WaferLevel BGA)技術。隨著工藝技術逐漸成熟，成本不斷降低，同時加上芯片工藝的不斷提升，其應用可能出現爆發性增長。目前主要的芯片扇出工藝流程如下：先制作一片臨時鍵合載片，該載片需要在表面制作相應的特征圖形；將芯片臨時放置在臨時鍵合載片上的特征圖形位置；使用圓片級注塑工藝，將芯片填充到模塑料中；在芯片表面制作再布線；移除臨時鍵合載片。其主要問題在于：需要在載片表面制作相應的特征圖形(設置芯片放置區域)；使用臨時鍵合工藝和設備；必須使用晶圓級注塑設備和工藝；必須使用拆鍵合設備和工藝。現有扇出工藝流程復雜，技術難度大，成本高，限制了其應用。

實用新型內容

本實用新型的目的在于克服現有技術存在的不足，提供一種基于玻璃的芯片再布線封裝結構。

為了實現以上目的，本實用新型的技術方案為：

一種基于玻璃的芯片再布線封裝結構，包括玻璃基板、設有第一焊盤的芯片、填充層、第一金屬再布線層、鈍化層和第二焊盤；玻璃基板設有上下貫穿的第一通孔，芯片設于第一通孔內且第一焊盤朝上；填充層填充于第一通孔和芯片的設置間隙中并延伸至覆蓋玻璃基板和芯片的上表面，且于對應第一焊盤區域開口；第一金屬再布線層設于填充層上并與第一焊盤連接；鈍化層設于第一金屬再布線層上并設有開口；第二焊盤設于鈍化層上并與第一金屬再布線層連接。

可選的，還包括載板；所述玻璃基板的下表面通過第一粘結層粘附于所述載板上，所述芯片的下表面通過第二粘結層粘附于所述載板上。

可選的，所述載板的材料是玻璃、硅或陶瓷。

可選的，若干所述芯片一一對應的設于若干所述第一通孔中。

可選的，至少一個所述第一通孔中設有至少兩個芯片，且所述填充層填充所述至少兩個芯片的設置間隙。

可選的，至少兩個所述芯片通過所述第一金屬再布線層電性連接。

可選的，所述填充層的材料為絕緣聚合物膠。

可選的，所述玻璃基板還設有上下貫穿的第二通孔，所述第二通孔填充導電材料形成導電柱。

可選的，所述玻璃基板底部設有第二金屬再布線層，所述導電柱連接所述第二金屬再布線層。

本實用新型的有益效果為：

(1)通過玻璃基板形成貫穿第一通孔且芯片設于第一通孔內的設置，玻璃基板的厚度只需與芯片厚度相同即可，最大程度的減少了整體厚度，形成的多芯片再布線結構緊湊，實現了超薄封裝。

(2)以玻璃為主體材料，相比硅基板等材料產品可靠性優異，適合高頻應用，實現更優的電性能。