[實用新型]一種用于氫化爐防短路的發熱體及氫化爐有效
| 申請號: | 201920169531.1 | 申請日: | 2019-01-31 |
| 公開(公告)號: | CN209536989U | 公開(公告)日: | 2019-10-25 |
| 發明(設計)人: | 王培良;李風舉;祝德光 | 申請(專利權)人: | 青島祥泰碳素有限公司 |
| 主分類號: | C01B33/035 | 分類號: | C01B33/035 |
| 代理公司: | 山東重諾律師事務所 37228 | 代理人: | 李常芳 |
| 地址: | 266600 山東省*** | 國省代碼: | 山東;37 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 氫化爐 發熱體 氮化硅 電極 蓋板 筒體 本實用新型 防短路組件 絕緣陶瓷 防短路 負電極 固定座 正電極 有效防止粉塵 安全運行 短路現象 高溫灼燒 密閉空間 使用壽命 筒體蓋 延長筒 剝落 沖刷 堆積 停車 外圍 阻擋 外部 保證 | ||
本實用新型涉及一種用于氫化爐防短路的發熱體及氫化爐,包括發熱體本體和電極,所述發熱體本體的兩端均設有防短路組件,所述電極包括正電極和負電極,所述正電極、負電極的外圍均設有固定座,且固定座與發熱體本體的端部之間設有絕緣陶瓷,所述防短路組件包括筒體以及氮化硅蓋板,本實用新型借助氮化硅蓋板、絕緣陶瓷和筒體在電極外部形成密閉空間,有效阻擋發熱體本體的剝落物在電極處堆積,防止發生短路現象,保證氫化爐安全運行,同時,氮化硅蓋板能夠減少氫化爐內氣流對筒體的沖刷及高溫灼燒,延長筒體的使用壽命,此外,氣流促使氮化硅蓋板能夠更加緊密的與筒體蓋合,有效防止粉塵物進入到筒體中,避免氫化爐停車。
技術領域
本實用新型屬于石墨制品技術領域,具體地說涉及一種用于氫化爐防短路的發熱體及氫化爐。
背景技術
在多晶硅的生產技術中,改良西門子法為主要的生產方法。在多晶硅棒的生產過程中,將四氯化硅氣體和氫氣按一定比例混合后通往氫化爐,位于氫化爐內的石墨發熱體在通電后產生大量熱能,在高溫(1200~1250℃)、高壓環境下,四氯化硅和氫氣會發生反應。在如此高溫、高壓條件下,對于氫化爐內電器連接件的考驗非常大,為保證產生能夠穩定運行,國內多晶硅行業抗蝕絕緣隔熱結構主要以石墨耗材和石英耗材為主。
當氫化爐內發生反應時,氫化爐內會產生長期的向下高溫、高壓沖擊的氣流。由于石墨及石英材質的抗蝕性能差,氣流長期向下沖刷會使爐內抗蝕絕緣隔熱結構的石英蓋板嚴重受損,粉塵物進入到抗蝕絕緣隔熱結構內,影響絕緣,造成氫化爐停車。同時,電極、發熱體長期處于高溫腐蝕介質的工作環境下,運行過程中不時出現脫層剝離現象,可能造成電極短路,影響氫化爐的安全運行。
實用新型內容
針對現有技術的種種不足,為了解決上述問題,現提出一種用于氫化爐防短路的發熱體及氫化爐。
為實現上述目的,本實用新型提供如下技術方案:
一種用于氫化爐防短路的發熱體,包括發熱體本體和電極,所述發熱體本體呈U型,且其兩端均設有防短路組件,所述電極包括正電極和負電極,且正電極、負電極分別嵌入發熱體本體的兩端,所述正電極、負電極的外圍均設有固定座,且固定座與發熱體本體的端部之間設有絕緣陶瓷,所述正電極、負電極分別貫穿絕緣陶瓷;
所述防短路組件包括兩端開口的筒體以及中心具有通孔的氮化硅蓋板,所述筒體套設于發熱體本體的外圍,且其頂部和底部均為斜面結構,所述固定座上設有呈環形的第一凹槽,所述氮化硅蓋板位于筒體的上方,且氮化硅蓋板的下表面設有呈環形的第二凹槽,所述筒體的底部嵌入第一凹槽內,且筒體的頂部嵌入第二凹槽內,所述第一凹槽和第二凹槽均與斜面結構匹配,所述氮化硅蓋板的下方設有與其固連的環形的保護罩,且保護罩套設于發熱體本體的外圍。
進一步,所述發熱體本體的兩端均設有內圓槽,所述正電極、負電極分別嵌入內圓槽中。
進一步,所述筒體為石英筒體。
進一步,所述保護罩為氮化硅保護罩。
進一步,所述保護罩的內徑大于筒體的外徑,且保護罩內徑與筒體外徑的差為2-3mm。
進一步,所述固定座的上表面設有陶瓷纖維層。
另,本實用新型還提供一種氫化爐,包括爐體,所述爐體的底座上設有上述的發熱體。
本實用新型的有益效果是:
借助氮化硅蓋板、絕緣陶瓷和筒體在電極外部形成密閉空間,有效阻擋發熱體本體的剝落物在電極處堆積,防止發生短路現象,保證氫化爐安全運行,同時,氮化硅蓋板能夠減少氫化爐內氣流對筒體的沖刷及高溫灼燒,延長筒體的使用壽命,此外,氣流促使氮化硅蓋板能夠更加緊密的與筒體蓋合,有效防止粉塵物進入到筒體中,避免氫化爐停車。
附圖說明
圖1是本實用新型的整體結構示意圖;
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于青島祥泰碳素有限公司,未經青島祥泰碳素有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201920169531.1/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種多晶硅還原爐石墨卡瓣加工底座
- 下一篇:一種氟化硼生產系統





