[實用新型]陣列基板、反射式顯示面板和顯示裝置有效
| 申請號: | 201920019387.3 | 申請日: | 2019-01-07 |
| 公開(公告)號: | CN209056488U | 公開(公告)日: | 2019-07-02 |
| 發明(設計)人: | 鄭琪;白璐;華剛;袁洪亮;李鵬;呂曉輝 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1335 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 姜春咸;陳源 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素電極 數據圖形 襯底 薄膜晶體管 本實用新型 數據線 絕緣層 反射式顯示面板 顯示裝置 像素單元 陣列基板 正投影 凹陷 柵線 交叉設置 交疊區域 交疊 源極 閃爍 | ||
本實用新型提供一種陣列基板,包括襯底,所述襯底上設置有像素電極、柵線、數據線和薄膜晶體管,所述數據線和所述柵線交叉設置,以限定出多個像素單元,所述像素電極和所述薄膜晶體管均與所述像素單元一一對應;所述像素電極與數據圖形所在層之間設置有絕緣層,所述數據圖形包括所述數據線和所述薄膜晶體管的源極,所述像素電極與所述數據圖形的一部分交疊;所述絕緣層上設置有多個凹陷,所述凹陷在所述襯底上的正投影位于所述像素電極與所述數據圖形的交疊區域在所述襯底上的正投影之外。本實用新型還提供一種反射式顯示面板和顯示裝置。本實用新型能夠減少顯示時的閃爍不良。
技術領域
本實用新型涉及顯示技術領域,具體涉及一種陣列基板、反射式顯示面板和顯示裝置。
背景技術
在目前的反射式液晶顯示產品中,為了增大視角,會在像素電極下方的絕緣層設置凸起和凹陷結構,以使像素電極表面形成凸起和凹陷,從而達到漫反射的效果。但這樣一方面會導致絕緣層的凹陷處厚度過小,另一方面,由于工藝條件的限制,相鄰像素之間所對應的絕緣層的凹陷厚度很難完全相同,從而容易導致同一像素相鄰兩幀之間和相鄰像素之間的顯示效果產生差異,進而產生閃爍現象。
實用新型內容
本實用新型旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一,提出了一種陣列基板、反射式顯示面板和顯示裝置。
為了實現上述目的,本實用新型提供一種陣列基板,包括襯底,所述襯底上設置有像素電極、柵線、數據線和薄膜晶體管,所述數據線和所述柵線交叉設置,以限定出多個像素單元,所述像素電極和所述薄膜晶體均與所述像素單元一一對應;所述像素電極與數據圖形所在層之間設置有絕緣層,所述數據圖形包括所述數據線和所述薄膜晶體管的源極,所述像素電極與所述數據圖形的一部分交疊;所述絕緣層上設置有多個凹陷,所述凹陷在所述襯底上的正投影位于所述像素電極與所述數據圖形的交疊區域在所述襯底上的正投影之外。
可選地,所述像素電極與所述數據線的一部分交疊。
可選地,所述凹陷在所述襯底上的正投影與所述數據線在所述襯底上的正投影無交疊。
可選地,所述凹陷在所述襯底上的正投影位于所述薄膜晶體管在所述襯底上的正投影之外。
可選地,所述像素電極為反射電極。
可選地,每相鄰兩行像素電極之間存在行間隔區,每相鄰兩列像素電極之間存在列間隔區,所述行間隔區與所述列間隔區的交叉區域為隔墊物區;所述凹陷在所述襯底上的正投影位于至少一部分所述隔墊物區在所述襯底上的正投影之外。
相應地,本實用新型還提供一種反射式顯示面板,包括陣列基板、對盒基板和位于所述陣列基板與所述對盒基板之間的液晶層,所述陣列基板采用上述陣列基板。
可選地,所述像素電極為反射電極,所述絕緣層上的凹陷被配置為:
與反射式顯示面板厚度方向的夾角在[25°,35°]之間的光線射入至所述反射式顯示面板后,被所述像素電極沿所述反射式顯示面板的厚度方向反射。
可選地,所述凹陷的坡度角在9°~12°之間,所述坡度角為所述凹陷側壁的底端與頂端之間的中點處的切面與所述反射式顯示面板顯示面之間的夾角。
相應地,本實用新型還提供一種顯示裝置,包括上述反射式顯示面板。
附圖說明
附圖是用來提供對本實用新型的進一步理解,并且構成說明書的一部分,與下面的具體實施方式一起用于解釋本實用新型,但并不構成對本實用新型的限制。在附圖中:
圖1為現有技術中的一種陣列基板的結構示意圖;
圖2為像素單元中的等效電路示意圖;
圖3為本實用新型實施例一提供的陣列基板的俯視圖;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





