[實用新型]一種垂直結構LED芯片有效
| 申請號： | 201920017286.2 | 申請日： | 2019-01-03 |
| 公開（公告）號： | CN209282229U | 公開（公告）日： | 2019-08-20 |
| 發明（設計）人： | 顏才滿;徐亮;李宗濤;丁鑫銳;鄭洪仿;黃經發 | 申請（專利權）人： | 佛山市國星半導體技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/20 | 分類號： | H01L33/20;H01L33/62;H01L33/00 |
| 代理公司： | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡楓 |
| 地址： | 528200 廣東省佛山市南海區獅*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 絕緣層 襯底 刻蝕阻擋層 邊緣鍵合 中心鍵合 電極層 外延層 凹部 凸部 垂直結構LED芯片 背面金屬層 本實用新型 電流擴散層 依次設置 反射層 鍵合層 翹曲度 良率 芯片 貫穿 | ||
1.一種垂直結構LED芯片，其特征在于，包括背面金屬層、設于背面金屬層上的第二襯底、鍵合層、刻蝕阻擋層、反射層、電流擴散層、外延層、絕緣層和電極層，所述第二襯底設有凹部和凸部，凸部的表面高于凹部的表面，所述鍵合層包括中心鍵合層和邊緣鍵合層，所述中心鍵合層設置在第二襯底的凹部，所述邊緣鍵合層設置在第二襯底的凸部，刻蝕阻擋層和絕緣層依次設置在邊緣鍵合層上，刻蝕阻擋層、反射層、電流擴散層、外延層、絕緣層和電極層依次設置在中心鍵合層上，所述電極層貫穿所述絕緣層與外延層連接。
2.如權利要求1所述的垂直結構LED芯片，其特征在于，所述中心鍵合層的厚度等于邊緣鍵合層的厚度。
3.如權利要求1所述的垂直結構LED芯片，其特征在于，所述中心鍵合層和邊緣鍵合層的結構為Cr/Ti/Pt/Au、Cr/Ti/Pt/Sn或Au/Sn/Pt/Sn。
4.如權利要求1所述的垂直結構LED芯片，其特征在于，所述中心鍵合層和邊緣鍵合層的厚度為0.4-4μm。
5.如權利要求1所述的垂直結構LED芯片，其特征在于，所述凸部的寬度為5-50μm。
6.如權利要求1所述的垂直結構LED芯片，其特征在于，背面金屬層的結構為Cr/Pt/Au、Au/Pt/Au或Ni/Cr/Ti。
7.如權利要求1所述的垂直結構LED芯片，其特征在于，刻蝕阻擋層的結構為Cr/TiW或Cr/Pt/Au。
8.如權利要求1所述的垂直結構LED芯片，其特征在于，反射層由Ag或Al制成，厚度為100-700nm，反射率為80-98％。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于佛山市國星半導體技術有限公司，未經佛山市國星半導體技術有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201920017286.2/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：歐姆接觸性能優化的光子晶體LED芯片
- 下一篇：一種垂直結構LED晶圓
