[發(fā)明專利]用于脈沖發(fā)生器的電路、脈沖發(fā)生器以及腦深部電刺激系統(tǒng)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911424100.6
• 申請日: 2019-12-31
• 公開（公告）號: CN113117229A
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 龔嘉駿;何慶;陳厚拴;何舒林;夏俊偉
• 申請（專利權(quán)）人: 上海神奕醫(yī)療科技有限公司
• 主分類號: A61N1/36
• 分類號: A61N1/36;A61N1/02;H04L27/04;H03K5/04;H02J50/12;H03K3/353
• 代理公司: 上海思捷知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31295
• 代理人: 王宏婧

1.一種用于脈沖發(fā)生器的電路，其特征在于，用于實現(xiàn)對IPG的充電和通信，包括低頻諧振電路以及ASK調(diào)制電路；

其中，所述低頻諧振電路與所述ASK調(diào)制電路串聯(lián)連接；

所述低頻諧振電路用于提供充電信號以對所述IPG進行充電，并用于傳輸載波信號和第一信號至所述ASK調(diào)制電路；

所述ASK調(diào)制電路用于根據(jù)所述載波信號對所述第一信號進行調(diào)制以與所述IPG進行通信。

2.如權(quán)利要求1所述的用于脈沖發(fā)生器的電路，其特征在于，所述低頻諧振電路包括電源、與所述電源連接的充電模塊以及通信模塊，所述載波信號和所述第一信號經(jīng)所述通信模塊傳輸至所述充電模塊，并通過所述充電模塊傳輸至所述ASK調(diào)制電路。

3.如權(quán)利要求2所述的用于脈沖發(fā)生器的電路，其特征在于，所述通信模塊包括第一場效應(yīng)管以及第二場效應(yīng)管，所述充電模塊包括第一電容、第二電容、第一線圈以及第二線圈；

其中，所述電源的正極與所述第一線圈的一端連接，所述第一線圈的另一端與所述第一場效應(yīng)管的漏極連接，所述第一場效應(yīng)管的源極與所述第二場效應(yīng)管的漏極連接，所述第一場效應(yīng)管的柵極用于傳輸所述載波信號；

所述第二場效應(yīng)管的源極連接所述電源的負極并接地，所述第二場效應(yīng)管的柵極用于傳輸所述第一信號；

所述第一電容并聯(lián)在所述第一線圈兩端，所述第一線圈與所述第二線圈互相耦合；

所述第二電容并聯(lián)在所述第二線圈兩端，所述第二線圈與所述ASK調(diào)制電路串聯(lián)連接。

4.如權(quán)利要求3所述的用于脈沖發(fā)生器的電路，其特征在于，所述第一線圈與所述第一電容具有第一諧振頻率，所述第一諧振頻率與所述載波信號的頻率相等。

5.如權(quán)利要求3所述的用于脈沖發(fā)生器的電路，其特征在于，所述第二線圈與所述第二電容具有第二諧振頻率，所述第二諧振頻率與所述載波信號的頻率相等。

6.如權(quán)利要求3所述的用于脈沖發(fā)生器的電路，其特征在于，所述第一線圈為充電線圈，所述第一電容為充電電容，所述第二線圈為受電線圈，所述第二電容為受電電容。

7.如權(quán)利要求3所述的用于脈沖發(fā)生器的電路，其特征在于，所述ASK調(diào)制電路包括整流電路、第一電阻以及第三場效應(yīng)管；

其中，所述第一電阻的一端與所述第二線圈的一端連接，所述整流電路連接在所述第二線圈的一端與所述第一電阻的一端間；

所述第一電阻的另一端與所述第三場效應(yīng)管的漏極連接，所述第三場效應(yīng)管的源極與所述第二線圈的另一端連接；

所述第三場效應(yīng)管的漏極連接所述ASK調(diào)制電路的輸出端。

8.如權(quán)利要求7所述的用于脈沖發(fā)生器的電路，其特征在于，所述整流電路包括二極管以及第三電容；

其中，所述二極管的陽極分別與所述第二線圈的一端以及所述第三場效應(yīng)管的源極連接，所述二極管的陰極分別與所述第三電容的一端以及所述第一電阻的一端連接；

所述第三電容的另一端與所述第三場效應(yīng)管的源極連接。

9.一種脈沖發(fā)生器，其特征在于，包括權(quán)利要求1至8中任一項所述的用于脈沖發(fā)生器的電路。

10.一種腦深部電刺激系統(tǒng)，其特征在于，包括權(quán)利要求9所述的一種脈沖發(fā)生器。