[發(fā)明專利]一種泡沫鎳支撐的多孔過渡金屬鈷電極及其制備方法和在硼氫化鈉電催化氧化中的應(yīng)用有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911420669.5 | 申請日： | 2019-12-31 |
| 公開（公告）號： | CN111082073B | 公開（公告）日： | 2021-04-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張棟銘;張君君;劉有智;崔燦;王浩宇;程宇玲;祁貴生;焦緯洲;袁志國 | 申請（專利權(quán)）人： | 中北大學(xué) |
| 主分類號： | H01M4/86 | 分類號： | H01M4/86;H01M4/88;H01M4/90 |
| 代理公司： | 太原市科瑞達(dá)專利代理有限公司 14101 | 代理人： | 申艷玲 |
| 地址： | 030051 山*** | 國省代碼： | 山西;14 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 泡沫 支撐 多孔 過渡 金屬 電極 及其 制備 方法 氫化 電催化 氧化 中的 應(yīng)用 | ||
1.一種泡沫鎳支撐的多孔過渡金屬鈷電極的制備方法，其特征在于包括以下步驟：
(1)取一片泡沫鎳作為催化劑載體；
(2)將泡沫鎳作為工作電極，置于50 mL含有0.10 mol·L-1 CoSO4·7H2O、0.20 mol·L-1 H3BO4、3.43 mol·L-1 C2H5OH和四甲氧基硅烷的水溶液中，以氯化銀電極及石墨棒分別作為參比電極和對電極進(jìn)行恒電位沉積，沉積時間為5~20 min，沉積電位為-1~-3 V，獲得泡沫鎳支撐的Co-SiO2復(fù)合材料；
(3)將所制備的泡沫鎳支撐的Co-SiO2復(fù)合材料作為工作電極，置于含有1.0 mol·L-1的NaOH溶液中，以氯化銀電極及石墨棒分別作為參比電極和對電極，使用循環(huán)伏安法進(jìn)行“去合金”過程去除Co-SiO2復(fù)合材料中的SiO2，獲得泡沫鎳支撐的多孔過渡金屬鈷電極；進(jìn)行“去合金”過程去除Co-SiO2復(fù)合材料中的SiO2所使用循環(huán)伏安法的掃描范圍為-0.20~-0.60 V，掃描速度為20 mV·s-1，掃描至曲線穩(wěn)定。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的泡沫鎳支撐的多孔過渡金屬鈷電極的制備方法，其特征在于：所述泡沫鎳的尺寸為1 cm×1 cm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的泡沫鎳支撐的多孔過渡金屬鈷電極的制備方法，其特征在于：四甲氧基硅烷含量為0.67~4.69 mmol·L-1。
4.一種權(quán)利要求1~3任一項所述的方法制得的泡沫鎳支撐的多孔過渡金屬鈷電極。
5.一種權(quán)利要求4所述的泡沫鎳支撐的多孔過渡金屬鈷電極在NaBH4電催化氧化中的應(yīng)用。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的應(yīng)用，其特征在于：以泡沫鎳支撐的多孔鈷為工作電極，氯化銀電極及石墨棒分別作為參比電極和對電極，在0.5~5.0 mol·L-1 NaOH和0.05~0.40mol·L-1 NaBH4溶液中，在溫度為25~65 ℃時，催化NaBH4電氧化。
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