[發(fā)明專利]一種紅外弱光探測(cè)器件、其制備方法與應(yīng)用

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911418563.1
• 申請(qǐng)日: 2019-12-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111106200B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-10-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊晴;王宏瑞
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L31/102
• 分類號(hào): H01L31/102;H01L31/032;H01L31/18
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 付麗

1.一種紅外弱光探測(cè)器件，由Ag₂HgS₂單晶體、金屬電極和電路板組成；

所述Ag₂HgS₂單晶體的兩端設(shè)置有金屬電極；

所述金屬電極與所述電路板相連接；

所述Ag₂HgS₂單晶體具有一維棒狀外形和金屬光澤；

所述Ag₂HgS₂單晶體的制備方法包括以下步驟：

將銀源、汞源、硫源和水混合后進(jìn)行水熱反應(yīng)，得到Ag₂HgS₂單晶體；所述銀源中銀離子與所述汞源中汞離子的摩爾比為4:1；

所述硫源中硫離子的摩爾數(shù)與所述銀源中銀離子與所述汞源中汞離子的總的摩爾數(shù)的比例為＞30：5。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紅外弱光探測(cè)器件，其特征在于，所述金屬電極選自銀電極或金電極。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紅外弱光探測(cè)器件，其特征在于，所述金屬電極的金屬純度為99.9%~99.99%。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紅外弱光探測(cè)器件，其特征在于，所述金屬電極與所述電路板之間設(shè)置有金屬絲。

5.權(quán)利要求1所述的紅外弱光探測(cè)器件的制備方法，包括以下步驟：

在Ag₂HgS₂單晶體的兩端制備金屬電極；

將所述金屬電極與電路板連接；

所述Ag₂HgS₂單晶體具有一維棒狀外形和金屬光澤。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述金屬電極與所述電路板通過(guò)銀絲連接。

7.權(quán)利要求1~4任一項(xiàng)所述的紅外弱光探測(cè)器件或權(quán)利要求5~6任一項(xiàng)所述的制備方法所制備的紅外弱光探測(cè)器件在制備光電探測(cè)器上的應(yīng)用。