[發明專利]一種電磁屏蔽結構的制造方法

在審

• 申請號: 201911417008.7
• 申請日: 2019-12-31
• 公開（公告）號: CN111048426A
• 公開（公告）日: 2020-04-21
• 發明（設計）人: 桂珞
• 申請（專利權）人: 中芯集成電路（寧波）有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/56;H01L23/552
• 代理公司: 北京思創大成知識產權代理有限公司 11614
• 代理人: 張立君

本發明公開了一種電磁屏蔽結構的制造方法，包括：提供襯底；將初始芯片設置于所述襯底；通過真空貼合在所述初始芯片上形成一層或多層電磁屏蔽層，所述電磁屏蔽層覆蓋所述初始芯片的頂部和側壁；對所述電磁屏蔽層和襯底進行切割，形成芯片。采用本發明的電磁屏蔽結構的制造方法，與現有技術相比，真空貼合的方式受到材料的限制較低，使得更多屏蔽效果更好的材料能夠應用于芯片的電磁屏蔽；能夠保證所述電磁屏蔽層和初始芯片緊密結合，為形成多層電磁屏蔽層提供可能；同時，其電磁屏蔽層可以事先根據應用場景而針對性制備，無需通過沉積或燒結，降低了工藝難度，縮短了芯片制造的時間。

技術領域

本發明涉及芯片制造領域，尤其涉及一種電磁屏蔽結構的制造方法。

背景技術

電子元件對外界的干擾，稱為EMI(Electromagnetic Interference)，電磁波會與電子元件作用，產生被干擾現象，稱為EMS(Electromagnetic Susceptibility)。

當干擾電磁場的頻率較高時，利用低電阻率的金屬材料中產生的渦流，形成對外來電磁波的抵消作用，從而達到屏蔽的效果；當干擾電磁波的頻率較低時，要采用高導磁率的材料，從而使磁力線限制在屏蔽體內部，防止擴散到屏蔽的空間去；在某些場合下，如果要求對高頻和低頻電磁場都具有良好的屏蔽效果時，往往采用不同的金屬材料組成多層屏蔽體。

現有技術通過PVD(Physical Vapor Deposition，物理氣相沉積)的方式在裸片上生長電磁屏蔽材料，或在裸片上噴涂導電銀膠，通過燒結形成電磁屏蔽外殼，對材料和工藝的要求較高，電磁兼容性較差，在需要同時應對高頻和低頻電磁場時，這一問題更加顯著。

因此，期待一種電磁屏蔽結構的制造方法，能夠放寬電磁屏蔽材料材料限制，在降低成本的同時，達到更好的電磁屏蔽效果。

發明內容

本發明的目的在于提供一種電磁屏蔽結構的制造方法，利用真空貼合的方式，將實現制備的電磁屏蔽材料覆蓋至裸片，以達到更好的電磁屏蔽效果。

為了實現上述目的，本發明提供一種電磁屏蔽結構的制造方法，包括：

提供襯底；

將初始芯片設置于所述襯底；

通過真空貼合在所述初始芯片上形成一層或多層電磁屏蔽層，所述電磁屏蔽層覆蓋所述初始芯片的頂部和側壁；

對所述電磁屏蔽層和襯底進行切割，形成芯片。

可選的，當形成多層電磁屏蔽層時，所述多層電磁屏蔽層中，至少兩層電磁屏蔽層的材料不同。

可選的，所述電磁屏蔽層包括：底層和位于底層表面的金屬膠層，所述金屬膠層的材料為金屬顆粒分散在粘合劑中形成的膠，所述金屬顆粒的材料包括銀和/或鎳，所述粘合劑包括環氧樹脂。

可選的，所述底層的材料為干膜。

可選的，所述電磁屏蔽層的材料為內側噴涂有粘合層的金屬箔，所述金屬箔的材料包括金、銀、銅或鎳。

可選的，所述粘合層的材料包括固化膠，所述固化膠包括紫外固化膜。

可選的，形成所述芯片后，還包括：去除所述襯底。

可選的，將至少一片初始芯片設置于所述襯底的方法包括：

在所述襯底上形成臨時鍵合膜；

在所述臨時鍵合膜表面設置所述初始芯片。

可選的，所述臨時鍵合膜的材料包括：紫外鍵合膜或熱解膜。

可選的，形成所述電磁屏蔽層后，進行解鍵合，去除所述襯底。