[發(fā)明專利]半導體封裝和制造半導體封裝的方法

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• 申請日: 2019-12-31
• 公開（公告）號: CN111081696A
• 公開（公告）日: 2020-04-28
• 發(fā)明（設計）人: 范立云;王德信;陶源
• 申請（專利權）人: 青島歌爾智能傳感器有限公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/552
• 代理公司: 北京辰權知識產(chǎn)權代理有限公司 11619
• 代理人: 何家鵬

1.一種半導體封裝，其特征在于，包括：

襯底(10)，包括多個連接焊盤(12)和多個接地焊盤(14)；

電子部件(20)，被聯(lián)接到所述襯底(10)的安裝表面，并且通過至少一個引線(21)與所述多個連接焊盤(12)中的至少一個連接；

第一中介層(30)，被布置在所述電子部件(20)的背離所述襯底(10)的第一表面(23)上，并且包括相對布置的絕緣表面(35)和接地表面(33)；

其中所述絕緣表面(35)與所述電子部件(20)的所述第一表面(23)絕緣地耦合；并且所述接地表面(33)經(jīng)由第一屏蔽結構(31)與所述多個接地焊盤(14)連接。

2.根據(jù)權利要求1所述的半導體封裝，其特征在于，所述第一屏蔽結構(31)包括多個第一屏蔽線或第一屏蔽帶。

3.根據(jù)權利要求2所述的半導體封裝，其中所述多個接地焊盤(14)與所述多個連接焊盤(12)對應設置，使得被連接到每個接地焊盤(14)的所述第一屏蔽線或第一屏蔽帶與被連接到對應的連接焊盤(12)的所述引線(21)相對應。

4.根據(jù)權利要求1所述的半導體封裝，其中所述第一中介層(30)至少覆蓋所述電子部件(20)的所述第一表面(23)的面積的80％。

5.根據(jù)權利要求1所述的半導體封裝，還包括：

第二中介層(40)，位于所述電子部件(20)與所述襯底(10)之間，并且所述電子部件(20)通過所述第二中介層(40)與所述襯底(10)的安裝表面聯(lián)接，所述第二中介層(40)包括多個屏蔽焊盤(41)；

第二屏蔽結構(42)，包括多個第二屏蔽線或第二屏蔽帶，所述第二屏蔽線或第二屏蔽帶與所述多個屏蔽焊盤(41)中的一個或多個連接以至少部分地包圍所述電子部件(20)。

6.根據(jù)權利要求1所述的半導體封裝，其中所述第一中介層(30)是硅中介層。

7.一種制造半導體封裝的方法，包括以下步驟：

在襯底(10)上提供多個連接焊盤(12)和多個接地焊盤(14)；

將電子部件(20)聯(lián)接到所述襯底(10)的安裝表面，并且利用至少一個引線(21)將所述電子部件(20)與所述多個連接焊盤(12)中的至少一個連接；

在所述電子部件(20)的背離所述襯底(10)的第一表面(23)上設置包括相對布置的絕緣表面(35)和接地表面(33)的第一中介層(30)，使得所述絕緣表面(35)與所述第一表面(23)絕緣地耦合；

利用多個第一屏蔽線或第一屏蔽帶將所述接地表面(33)與所述多個接地焊盤(14)連接，使得所述多個第一屏蔽線或第一屏蔽帶形成第一屏蔽結構(31)。

8.根據(jù)權利要求7所述的方法，其中所述方法還包括：

將所述多個接地焊盤(14)與所述多個連接焊盤(12)對應地設置，使得被連接到每個接地焊盤(14)的所述第一屏蔽線或第一屏蔽帶與被連接到對應的連接焊盤(12)的所述引線(21)相對應。

9.根據(jù)權利要求7所述的方法，其中所述第一中介層(30)至少覆蓋所述電子部件(20)的所述第一表面(23)的面積的80％。

10.根據(jù)權利要求7-9中的任一項所述的方法，還包括：

在所述電子部件(20)與所述襯底(10)之間布置第二中介層(40)，使得所述電子部件(20)通過所述第二中介層(40)與所述襯底(10)的安裝表面聯(lián)接，所述第二中介層(40)包括多個屏蔽焊盤(41)；

將多個第二屏蔽線或第二屏蔽帶與所述多個屏蔽焊盤(41)中的一個或多個連接，使得所述多個第二屏蔽線或第二屏蔽帶形成第二屏蔽結構(42)，所述第二屏蔽結構(42)至少部分地包圍所述電子部件(20)。