[發明專利]含氮化合物、電子元件和電子裝置有效
| 申請號: | 201911415821.0 | 申請日: | 2019-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN111138298B | 公開(公告)日: | 2020-12-04 |
| 發明(設計)人: | 聶齊齊;曹佳梅;馬天天 | 申請(專利權)人: | 陜西萊特光電材料股份有限公司 |
| 主分類號: | C07C211/61 | 分類號: | C07C211/61;C07C211/54;C07C211/56;C07C211/58;C07D307/91;C07D333/76;C07D209/88;C07D339/08;C07D319/24;C07F7/08;C07D265/38;C07D311/82;C07D209/86 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 氮化 電子元件 電子 裝置 | ||
本申請提供了一種化學式I所示的含氮化合物、電子元件和電子裝置,屬于有機材料技術領域。該含氮化合物能夠改善電子元件的性能。其中,表示化學鍵;R1和R2分別獨立地選自氫、化學式1?1所示的基團,且R1和R2有且只有一個為化學式1?1所示的基團,當R1或R2選自氫時,選自氫的所述R1或R2能被R4取代。
技術領域
本申請涉及有機材料技術領域,尤其涉及一種含氮化合物、應用該含氮化合物的電子元件和應用該電子元件的電子裝置。
背景技術
隨著電子技術的發展和材料科學的進步,用于實現電致發光或者光電轉化的電子元器件的應用范圍越來越廣泛。該類電子元器件通常包括相對設置的陰極和陽極,以及設置于陰極和陽極之間的功能層。該功能層由多層有機或者無機膜層組成,且一般包括能量轉化層、位于能量轉化層與陽極之間的空穴傳輸層、位于能量轉化層與陰極之間的電子傳輸層。
舉例而言,當電子元件為有機電致發光器件時,其一般包括依次層疊設置的陽極、空穴傳輸層、作為能量轉化層的電致發光層、電子傳輸層和陰極。當陰陽兩極施加電壓時,兩電極產生電場,在電場的作用下,陰極側的電子向電致發光層移動,陽極側的空穴也向發光層移動,電子和空穴在電致發光層結合形成激子,激子處于激發態向外釋放能量,進而使得電致發光層對外發光。為了提高實現電致發光或者光電轉化的電子元器件的性能,在能量轉化層和空穴傳輸層之間還可以設置有電子阻擋層。
在實現電致發光或者光電轉化的電子元器件中,位于陽極和能量轉化層之間的膜層的空穴傳輸性能,對電子元器件的性能具有重要的影響。如中國專利公開CN201710407382.3等專利文獻中的記載,含有芴基團的化合物可以用于空穴傳輸層。然而,現有的含有芴基團的空穴傳輸層材料,其性能有待進一步地提高。
所述背景技術部分公開的上述信息僅用于加強對本申請的背景的理解,因此它可以包括不構成對本領域普通技術人員已知的現有技術的信息。
發明內容
本申請的目的在于提供一種含氮化合物、電子元件和電子裝置,以改善電子元件和電子裝置的性能。
為實現上述發明目的,本申請采用如下技術方案:
根據本申請的第一個方面,提供一種含氮化合物,所述含氮化合物的結構如化學式1所示:
其中,表示化學鍵;
R1和R2分別獨立地選自氫、化學式1-1所示的基團,且R1和R2有且只有一個為化學式1-1所示的基團,當R1或R2選自氫時,選自氫的所述R1或R2能被R4取代;
R3、R4分別獨立地選自氘、鹵素、氰基、碳原子數為3~20的雜芳基、碳原子數為6~20的芳基、碳原子數為3~12的三烷基硅基、碳原子數為8~12的芳基甲硅烷基、碳原子數為1~10的烷基、碳原子數為1~10的鹵代烷基、碳原子數為2~6的烯基、碳原子數為2~6的炔基、碳原子數為3~20的環烷基、碳原子數為2~10的雜環烷基、碳原子數為5~10的環烯基、碳原子數為4~10的雜環烯基、碳原子數為1~10的烷氧基、碳原子數為1~10的烷硫基、碳原子數為6~18的芳氧基、碳原子數為6~18的芳硫基、碳原子數為6~18的磷氧基;
a選自0,1,2,3或4,當a大于等于2時,任意兩個R3相同或不同;
b選自0,1,2或3,當b大于等于2時,任意兩個R4相同或不同;
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