[發(fā)明專利]一種嵌入式封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法

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• 申請日: 2019-12-31
• 公開（公告）號: CN111081554A
• 公開（公告）日: 2020-04-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 朱瑩;盧瑞
• 申請（專利權(quán)）人: 淄博職業(yè)學(xué)院
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/14;H01L23/367;H01L23/498
• 代理公司: 北京華際知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11676
• 代理人: 葉宇

1.一種嵌入式封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其包括以下步驟：

(1)提供金屬基板，所述金屬基板具有相對的第一表面和第二表面；

(2)在所述第一表面上形成凹槽，所述凹槽未貫穿所述金屬基板；

(3)刻蝕所述凹槽底部的金屬基板，形成多個金屬柱；

(4)提供第一芯片，在所述第一芯片的背面形成多個盲孔，將所述第一芯片置于所凹槽內(nèi)，且使得所述多個金屬柱插入所述多個盲孔中，所述背面緊貼所述金屬基板；

(5)形成樹脂材料填充所述凹槽，所述樹脂材料密封所述第一芯片；

(6)在所述凹槽的周邊區(qū)域刻蝕所述金屬基板的所述第二表面形成至少一第一環(huán)形槽和至少一第二環(huán)形槽；

(7)在所述第一和第二環(huán)形槽中填充絕緣材以形成第一和第二絕緣環(huán)形槽；

(8)研磨所述第一表面，使得所述第一絕緣環(huán)形槽、第二絕緣環(huán)形槽和所述第一芯片的正面從所述第一表面露出，其中所述第一絕緣環(huán)形槽環(huán)繞的金屬部分構(gòu)成第一通孔，所述第二絕緣環(huán)形槽環(huán)繞的金屬部分構(gòu)成第二通孔。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的嵌入式封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于：在步驟(4)中，還包括在所述第一芯片中形成至少一第三通孔，且所述第三通孔的一端露出于所述多個盲孔中的其中一個盲孔的底部；進一步的，所述第三通孔與所述多個金屬柱的其中一個金屬柱電連接，且所述其中一個金屬柱與所述第二通孔電連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的嵌入式封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于：還包括步驟(9)，在所述第一表面上形成再分布層，所述再分布層至少與所述第一芯片、所述第一通孔和第三通孔電連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的嵌入式封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于：還包括步驟(10)，在所述再分布層上電連接第二芯片，并在所述再分布層上形成密封層以密封所述第二芯片。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的嵌入式封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于：還包括步驟(11)，在所述第二表面形成絕緣層，并進行圖案化以形成多個開口，所述多個開口露出所述第一通孔和所述其中一個金屬柱；在所述多個開口中形成外部連接端子。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的嵌入式封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于：在步驟(3)中，形成多個金屬柱的具體方法為激光鉆孔、濕法刻蝕或干法刻蝕。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的嵌入式封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于：所述第一芯片包括在其正面的互連層，所述互連層的頂面與所述第一表面大致齊平。

8.一種嵌入式封裝結(jié)構(gòu)，其包括：

金屬基板，具有相對的第一表面和第二表面，且包括：凹槽，所述凹槽中具有多個金屬柱；至少一第一通孔，所述第一通孔通過第一絕緣環(huán)形槽與所述金屬基板絕緣；至少一第二通孔，所述第一通孔通過第二絕緣環(huán)形槽與所述金屬基板絕緣，所述第二通孔與所述多個金屬柱中的其中一個金屬柱電連接；以及

第一芯片，所述第一芯片背面具有多個盲孔，所述多個金屬柱插入所述多個盲孔中，且所述背面緊貼所述金屬基板；

樹脂材料，填充于所述凹槽內(nèi)且密封所述第一芯片；

其中所述多個金屬柱、所述第一通孔和所述第二通孔屬于所述金屬基板的一部分。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的嵌入式封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述金屬基板的材質(zhì)為銅或鋁，優(yōu)選為散熱性較好的銅。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的嵌入式封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第一芯片還包括至少一第三通孔，所述第三通孔的一端露出于所述多個盲孔中的其中一個盲孔的底部，且所述第二通孔與所述多個金屬柱的其中一個金屬柱電連接，且所述其中一個金屬柱與所述第二通孔電連接。