[發明專利]一種SSD中優化NAND Flash讀參考電壓的方法

有效

• 申請號: 201911410230.4
• 申請日: 2019-12-31
• 公開（公告）號: CN111192620B
• 公開（公告）日: 2023-09-08
• 發明（設計）人: 劉凱;王璞;曹成
• 申請（專利權）人: 山東華芯半導體有限公司
• 主分類號: G11C29/08
• 分類號: G11C29/08;G06F11/10
• 代理公司: 濟南泉城專利商標事務所 37218
• 代理人: 趙玉鳳

本發明公開一種SSD中優化NAND?Flash讀參考電壓的方法，本方法首先確定影響NAND?Flash讀參數的影響因素，然后對確認的影響因素進行區間劃分，選取一定數量的block作為樣本進行測試，寫入隨機數據，根據劃分的影響因素區間，在不同類型組合情況下對數據進行校驗，找到每個PT的最優讀參數，基于最優讀參數對應的影響因素生成讀參數列表并保存到DDR的指定位置，讀取數據時，根據需要讀取的數據所在block的情況定位到DDR中讀參數列表的對應位置，然后使用讀參數列表中保存的最優讀參數去讀取該block中的page。本發明能減少ECC錯誤發生的概率，從而保證SSD的讀性能的穩定。

技術領域

本發明NAND?Flash測試領域?，具體的說，是一種SSD中優化NAND?Flash讀參考電壓的方法。

背景技術

SSD廣泛應用于消費級和企業級存儲中，目前絕大多數的SSD使用NAND?Flash作為存儲介質，但是由于NAND?Flash的物理結構決定了保存在里面的數據會發生位翻轉，從而影響保存數據的正確性。SSD中普遍使用BCH或者LDPC作為ECC編碼進行數據糾錯處理，然而如果發生錯誤的bits過多，糾錯算法將無法完成數據糾錯，我們通常稱之為發生ECC錯誤。發生ECC錯誤之后需要進行一系列的錯誤恢復處理，這就可能會嚴重影響SSD的讀性能。

每次讀取NAND?Flash發送Read命令時要配合給出一組參數，這組參數對應NANDFlash內部的讀參考電壓，讀參考電壓影響讀性能。影響NAND?Flash內部的讀參考電壓的這組參數稱為NAND?Flash讀參數，可以通過實驗確定讀性能最佳時對應的NAND?Flash讀參數，從而優化NAND?Flash讀參考電壓。

發明內容

本發明要解決的技術問題是提供一種SSD中優化NAND?Flash讀參考電壓的方法，根據NAND?Flash所處的狀態，使用特定讀參數進行NAND?Flash?read，提升數據讀取的穩定性，減少ECC錯誤發生的概率，從而保證SSD的讀性能的穩定。

為了解決所述技術問題，本發明采用的技術方案是：一種SSD中優化NAND?Flash讀參考電壓的方法，包括以下步驟：S01）、確定影響NAND?Flash讀參數的影響因素包括頁類型PT、磨損次數PE、block讀取次數BR、數據存儲時間DR和溫度變化Tcross；S02）、對步驟S01確認的影響因素進行區間劃分，頁類型PT分別為Lower?Page、Middle?Page、Upper?Page，編號分別為PT(0)?、PT(1)、PT(2)，將磨損次數PE從0開始以1000次為間隔劃分為m個區間，編號分別為PE(0)、PE(1)···PE（m），將block讀取次數BR從0開始以500個Block?Read為間隔劃分為n個區間，編號分別為BR(0)、BR(1)···BR（n），將數據存儲時間DR從0天開始以10天為間隔劃分為k個區間，編號分別為DR(0)、DR（1）···DR(k)，溫度變化Tcross分別T1和T2，T1為數據寫入時的溫度，T2為數據讀取時的溫度；S03）、選取一定數量的block作為樣本進行測試，寫入隨機數據，根據步驟S02劃分的影響因素區間，在不同類型組合情況下對數據進行校驗，找到每個PT的最優讀參數，基于最優讀參數對應的影響因素生成讀參數列表，將最終生成的讀參數列表保存到DDR的指定位置；S04）、完成讀參數列表保存之后，在從SSD讀取數據時，根據需要讀取的數據所在block的PE、BR、DR、Tcross情況定位到DDR中讀參數列表的對應位置，然后使用讀參數列表中保存的最優讀參數去讀取該block中的page。