[發(fā)明專利]量子點(diǎn)晶體復(fù)合材料及制備、量子點(diǎn)薄膜及發(fā)光二極管

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911400150.0
• 申請(qǐng)日: 2019-12-30
• 公開（公告）號(hào): CN113122261B
• 公開（公告）日: 2022-06-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 葉煒浩
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: TCL科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): C09K11/88
• 分類號(hào): C09K11/88;C09K11/54;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00;H01L51/50
• 代理公司: 深圳中一聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44414
• 代理人: 曹柳

本發(fā)明屬于量子點(diǎn)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種量子點(diǎn)晶體復(fù)合材料的制備方法，包括步驟：獲取量子點(diǎn)材料、金屬無機(jī)鹽和凝膠的混合溶液；將所述混合溶液凝膠化；添加陰離子溶液進(jìn)行結(jié)晶處理，得到量子點(diǎn)晶體復(fù)合材料。本發(fā)明量子點(diǎn)晶體復(fù)合材料的制備方法，制備工藝簡單，適用于工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)和應(yīng)用，并且制備的量子點(diǎn)晶體復(fù)合材料，通過晶體基質(zhì)的致密性和有序性為量子點(diǎn)提供了化學(xué)和物理隔絕環(huán)境，提高了量子點(diǎn)的穩(wěn)定性，改善了量子點(diǎn)器件長期在激發(fā)狀態(tài)下應(yīng)用的光穩(wěn)定性。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于量子點(diǎn)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種量子點(diǎn)晶體復(fù)合材料及其制備方法，一種量子點(diǎn)薄膜，一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體量子點(diǎn)作為一種新型納米材料，隨著近些年來關(guān)于其合成和性能方面研究的日益深入，越來越受到重視。量子點(diǎn)由于具有顯著的量子點(diǎn)限域效應(yīng)，使得其具有發(fā)光波長可調(diào)、峰寬窄、發(fā)光效率高、壽命長、熱穩(wěn)定性高和優(yōu)良的可溶液加工性等優(yōu)點(diǎn)，在新型顯示和照明、太陽能電池、生物標(biāo)記等領(lǐng)域具有廣泛地應(yīng)用前景。人們發(fā)現(xiàn)量子點(diǎn)在光電器件方面也有著極大的潛力，在顯示和照明，尤其是對(duì)于目前被稱為“第四代照明光源”的白光發(fā)光二極管而言是一種相當(dāng)有價(jià)值的光轉(zhuǎn)換和發(fā)光材料，以性能更加穩(wěn)定的無機(jī)量子點(diǎn)作為發(fā)光層制備的量子點(diǎn)發(fā)光二極管(QLED)具有色域范圍廣、色彩飽、色純度高和制備成本低等優(yōu)點(diǎn)，成為極具潛力的下一代新型顯示。

然而，量子點(diǎn)作為發(fā)光材料在LED應(yīng)用過程中由于長期處于短波長的光激發(fā)，容易出現(xiàn)體系不穩(wěn)定，導(dǎo)致熒光特性顯著衰變。在這方面，一般通過使用表面配體改性或包覆量子點(diǎn)，以提高量子點(diǎn)的穩(wěn)定性來確保發(fā)光發(fā)射強(qiáng)度。研究證明，量子點(diǎn)外包覆聚合物、氣凝膠或多晶，這些物質(zhì)可以作為量子點(diǎn)的外殼。但是這些物質(zhì)一般通過聚合反應(yīng)或化學(xué)沉積封裝在量子點(diǎn)表面，其穩(wěn)定性和致密性不足，容易受環(huán)境變化影響而脫落，最終導(dǎo)致量子點(diǎn)的發(fā)光性能隨著時(shí)間遷移而變差。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種量子點(diǎn)晶體復(fù)合材料，旨在解決現(xiàn)有量子點(diǎn)材料在應(yīng)用過程中受環(huán)境影響穩(wěn)定性差，導(dǎo)致量子點(diǎn)的發(fā)光性能隨著時(shí)間遷移而變差等技術(shù)問題。

本發(fā)明的另一目的在于提供一種量子點(diǎn)晶體復(fù)合材料的制備方法。

本發(fā)明的再一目的在于提供一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管。

本發(fā)明的再一目的在于提供一種量子點(diǎn)薄膜。

為了實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下：

一種量子點(diǎn)晶體復(fù)合材料的制備方法，包括以下步驟：

獲取量子點(diǎn)材料、金屬無機(jī)鹽和凝膠的混合溶液；

將所述混合溶液凝膠化；

添加陰離子溶液進(jìn)行結(jié)晶處理，分離純化得到量子點(diǎn)晶體復(fù)合材料。

相應(yīng)地，一種量子點(diǎn)晶體復(fù)合材料，所述量子點(diǎn)單體復(fù)合材料包括：單晶化合物結(jié)合形成的晶體基質(zhì)，以及鑲嵌在所述晶體基質(zhì)內(nèi)部和/或結(jié)合在所述晶體基質(zhì)表面的量子點(diǎn)。

相應(yīng)的，一種量子點(diǎn)薄膜，所述量子點(diǎn)薄膜含有上述方法制備的量子點(diǎn)晶體復(fù)合材料，或者含有上述的量子點(diǎn)晶體復(fù)合材料。

相應(yīng)的，一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管，所述量子點(diǎn)發(fā)光二極管包含有上述量子點(diǎn)薄膜。