[發明專利]一種接觸孔及其制作方法

有效

• 申請號: 201911392053.1
• 申請日: 2019-12-30
• 公開（公告）號: CN111128872B
• 公開（公告）日: 2022-11-25
• 發明（設計）人: 左青云;蔣賓;盧意飛;周偉
• 申請（專利權）人: 上海集成電路研發中心有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 上海恒銳佳知識產權代理事務所(普通合伙) 31286
• 代理人: 吳浩

1.一種接觸孔的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

S01：提供襯底，在所述襯底上形成下層導電電極；

S02：在所述下層導電電極上沉積第一薄膜層，并在所述第一薄膜層上刻蝕出貫穿所述第一薄膜層的接觸大孔；

S03：在所述第一薄膜層上沉積第二薄膜層并刻蝕，使得所述第二薄膜層在所述接觸大孔的側壁上形成緩變臺階；且所述緩變臺階的頂部開口面積大于底部開口面積；

S04：沉積功能層，并在接觸大孔底部形成貫穿所述功能層的接觸小孔；

S05：沉積上層導電電極，所述上層導電電極通過所述接觸小孔連接所述下層導電電極。

2.根據權利要求1所述的一種接觸孔的制作方法，其特征在于，所述步驟S02具體為：在所述下層導電電極上沉積刻蝕阻擋層和第一薄膜層，并在所述第一薄膜層上刻蝕出貫穿所述第一薄膜層的接觸大孔；

所述步驟S04具體為：在接觸大孔底部形成貫穿所述功能層和刻蝕阻擋層的接觸小孔。

3.根據權利要求1所述的一種接觸孔的制作方法，其特征在于，所述步驟S02中第一薄膜層包括介質材料層和/或非晶硅層。

4.根據權利要求1所述的一種接觸孔的制作方法，其特征在于，所述第一薄膜層的厚度大于500nm。

5.根據權利要求1所述的一種接觸孔的制作方法，其特征在于，所述第二薄膜層包括絕緣介質層，且所述第二薄膜層的厚度小于第一薄膜層的厚度。

6.根據權利要求5所述的一種接觸孔的制作方法，其特征在于，所述步驟S03中采用干法刻蝕對所述第二薄膜層進行刻蝕。

7.根據權利要求6所述的一種接觸孔的制作方法，其特征在于，所述步驟S03具體包括：

S031：在所述第一薄膜層上沉積第二薄膜層；

S032：采用光片干法刻蝕去除第一薄膜層上表面的第二薄膜層，接觸大孔側壁為陡變臺階，接觸大孔中殘留的第二薄膜層在所述接觸大孔的側壁形成緩變臺階。

8.根據權利要求1所述的一種接觸孔的制作方法，其特征在于，所述步驟S04還包括：在所述接觸大孔內部以及第一薄膜層上表面沉積功能層，并在接觸大孔底部形成貫穿所述功能層的接觸小孔。

9.根據權利要求8所述的一種接觸孔的制作方法，其特征在于，所述功能層包括介質層和功能材料層，所述步驟S04中在所述接觸大孔內部以及第一薄膜層上表面依次沉積介質層和功能材料層。

10.一種接觸孔，其特征在于，包括襯底、下層導電電極、上層導電電極、第一薄膜層、緩變臺階、功能層、接觸大孔和接觸小孔，其中，所述下層導電電極位于所述襯底上方，所述第一薄膜層位于所述下層導電電極上方，所述接觸大孔位于所述第一薄膜層內部，且貫穿所述第一薄膜層，所述緩變臺階位于所述接觸大孔的側壁，且所述緩變臺階的頂部開口大于底部開口；所述功能層位于所述接觸大孔內以及第一薄膜層上方，所述接觸小孔位于所述接觸大孔底部，且貫穿所述功能層，所述上層導電電極通過所述接觸小孔連接所述下層導電電極。