[發明專利]一種氧化鋁陶瓷燒結方法有效
| 申請號： | 201911390010.X | 申請日： | 2019-12-30 |
| 公開（公告）號： | CN111039663B | 公開（公告）日： | 2022-03-18 |
| 發明（設計）人： | 杜繼實;易歆雨 | 申請（專利權）人： | 中國工程物理研究院電子工程研究所 |
| 主分類號： | C04B35/10 | 分類號： | C04B35/10;C04B35/64 |
| 代理公司： | 中國工程物理研究院專利中心 51210 | 代理人： | 翟長明;張保朝 |
| 地址： | 621999*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 氧化鋁陶瓷 燒結 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種氧化鋁陶瓷的燒結方法，其特征在于，所述的方法包括以下步驟：
a.氧化鋁陶瓷坯體成型；
b.通入保護氣氛Ⅰ，對氧化鋁陶瓷坯體進行第一階段高溫燒結；
c.通入保護氣氛Ⅱ，當氧化鋁陶瓷坯體開氣孔率為0時，通入保護氣氛Ⅱ，對氧化鋁陶瓷坯體進行第二階段高溫燒結；
所述的第一階段的保護氣氛Ⅰ中，氧氣的體積百分濃度高于99％；
所述的第二階段的保護氣氛Ⅱ中，氧氣的體積百分濃度低于25％。
2.根據權利要求1所述的氧化鋁陶瓷的燒結方法，其特征在于：所述的保護氣氛Ⅰ為氧氣。
3.根據權利要求2所述的氧化鋁陶瓷的燒結方法，其特征在于：所述的保護氣氛Ⅱ為氧氣和氮氣的混合氣。
4.根據權利要求2所述的氧化鋁陶瓷的燒結方法，其特征在于：所述的保護氣氛Ⅱ為空氣。
5.根據權利要求1所述的氧化鋁陶瓷的燒結方法，其特征在于：所述的步驟(b)、(c)中，高溫燒結爐為以碳化硅或硅化鉬為加熱體材料的燒結爐。
6.根據權利要求1所述的氧化鋁陶瓷的燒結方法，其特征在于：第一階段高溫燒結、第二階段高溫燒結壓強均為1個大氣壓。
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