[發(fā)明專利]一種方波電化學(xué)蝕刻制備多孔銅箔的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201911388399.4 | 申請(qǐng)日: | 2019-12-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN110983422B | 公開(公告)日: | 2021-12-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張波;李波;董亞萍;許志榕;王開林;李武;梁建;徐慧云;荀庫(kù);馮海濤;鄭竹林 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院青海鹽湖研究所;禹象銅箔(浙江)有限公司 |
| 主分類號(hào): | C25F3/02 | 分類號(hào): | C25F3/02 |
| 代理公司: | 南京利豐知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 王茹;王鋒 |
| 地址: | 810008*** | 國(guó)省代碼: | 青海;63 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 方波 電化學(xué) 蝕刻 制備 多孔 銅箔 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種方波電化學(xué)蝕刻制備多孔銅箔的方法。所述方法包括:至少以作為工作電極的無(wú)孔銅箔與對(duì)電極以及蝕刻液構(gòu)建電化學(xué)反應(yīng)體系,所述蝕刻液采用包含強(qiáng)酸和弱酸的酸性水溶液,其中弱酸成分能夠?qū)饘巽~的晶面進(jìn)行保護(hù),而所述強(qiáng)酸能夠蝕刻金屬銅;采用方波電蝕刻法,通過(guò)對(duì)所述工作電極施加方波電位,實(shí)現(xiàn)對(duì)所述無(wú)孔銅箔的方波電化學(xué)蝕刻,從而獲得多孔銅箔。本發(fā)明利用弱酸可吸附在金屬銅某些晶面上并形成保護(hù)的特點(diǎn),同時(shí)混以起主要蝕刻作用的強(qiáng)酸,在銅箔表面達(dá)到選擇性蝕刻的目的,采用方波電蝕刻法可通過(guò)控制工藝參數(shù)得到孔徑較小的多孔銅箔,其孔徑分布均勻,外觀形貌良好;并且,該方法簡(jiǎn)單易操作,所獲產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定性較高。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及多孔銅箔的制備,尤其涉及一種通過(guò)方波電化學(xué)蝕刻制備多孔銅箔的方法,屬于銅箔制備技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
銅箔作為鋰電池領(lǐng)域重要的負(fù)極材料,在新能源經(jīng)濟(jì)蓬勃興起的今天得到重要的發(fā)展機(jī)遇。與傳統(tǒng)光面銅箔相比,多孔銅箔可解決鋰離子電池工作時(shí)產(chǎn)生的枝晶問(wèn)題,同時(shí)也可緩解負(fù)極材料嵌鋰時(shí)發(fā)生的體積膨脹問(wèn)題。
傳統(tǒng)的多孔銅箔制備方法中使用最多的為模板法。模板法首先對(duì)陰極輥進(jìn)行表面處理,在陰極表面塑造大量絕緣點(diǎn),這些點(diǎn)在電解過(guò)程中不會(huì)產(chǎn)生金屬銅沉積,最終得到的銅箔為多孔狀。在所報(bào)道的文獻(xiàn)中,這種方法的缺點(diǎn)是模板法的陰極表面處理方式通常并不會(huì)穩(wěn)定,需要耗費(fèi)大量精力進(jìn)行修復(fù)和維護(hù)。另有一種通過(guò)機(jī)械加工在銅箔表面沖孔制造多孔銅箔的方式,但是這種方式得到的銅箔孔徑通常大于500微米,在應(yīng)用于鋰電池時(shí)會(huì)發(fā)生漏料現(xiàn)象。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于提供一種方波電化學(xué)蝕刻制備多孔銅箔的方法,從而克服現(xiàn)有技術(shù)的不足。
為達(dá)到上述發(fā)明目的,本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:
本發(fā)明實(shí)施例提供了一種方波電化學(xué)蝕刻制備多孔銅箔的方法,其包括:
至少以作為工作電極的無(wú)孔銅箔與對(duì)電極以及蝕刻液構(gòu)建電化學(xué)反應(yīng)體系,所述蝕刻液采用包含強(qiáng)酸和弱酸的酸性水溶液,其中弱酸成分能夠?qū)饘巽~的晶面進(jìn)行保護(hù),而所述強(qiáng)酸能夠蝕刻金屬銅;
采用方波電蝕刻法,通過(guò)對(duì)所述工作電極施加方波電位,實(shí)現(xiàn)對(duì)所述無(wú)孔銅箔的方波電化學(xué)蝕刻,從而獲得多孔銅箔。
在一些優(yōu)選實(shí)施例中,所述強(qiáng)酸包括硫酸、鹽酸和硝酸等中的任意一種或兩種以上的組合,但不限于此。
在一些優(yōu)選實(shí)施例中,所述弱酸包括磷酸、檸檬酸、醋酸和抗壞血酸等中的任意一種或兩種以上的組合,但不限于此。
在一些優(yōu)選實(shí)施例中,所述方波電蝕刻法采用的工藝條件包括:所述方波電位的電位上限為0.2~6.3V,電位下限為-5.5~2.6V,頻率為0.01~1000Hz。
較之現(xiàn)有技術(shù),本發(fā)明的有益效果至少在于:
1)本發(fā)明提供的通過(guò)方波電化學(xué)蝕刻制備多孔銅箔的方法,利用弱酸可吸附在金屬銅某些晶面上并形成保護(hù)的特點(diǎn),同時(shí)混以起主要蝕刻作用的強(qiáng)酸,在銅箔表面達(dá)到選擇性蝕刻的目的,采用方波電蝕刻法制備出多孔銅箔;
2)與傳統(tǒng)方法相比,本發(fā)明采用方波電蝕刻法可通過(guò)控制工藝參數(shù)得到孔徑較小的多孔銅箔,其孔徑分布均勻,外觀形貌良好;并且,該方法簡(jiǎn)單易操作,工藝運(yùn)行穩(wěn)定,所用裝置易于維護(hù),得到的產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定性較高。
附圖說(shuō)明
為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明中記載的一些實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
圖1和圖2是本發(fā)明實(shí)施例1所制備的多孔銅箔產(chǎn)品的表面SEM圖片。
具體實(shí)施方式
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