[發明專利]一種方波電化學蝕刻制備多孔銅箔的方法有效
| 申請號： | 201911388399.4 | 申請日： | 2019-12-30 |
| 公開（公告）號： | CN110983422B | 公開（公告）日： | 2021-12-10 |
| 發明（設計）人： | 張波;李波;董亞萍;許志榕;王開林;李武;梁建;徐慧云;荀庫;馮海濤;鄭竹林 | 申請（專利權）人： | 中國科學院青海鹽湖研究所;禹象銅箔（浙江）有限公司 |
| 主分類號： | C25F3/02 | 分類號： | C25F3/02 |
| 代理公司： | 南京利豐知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王茹;王鋒 |
| 地址： | 810008*** | 國省代碼： | 青海;63 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 方波 電化學 蝕刻 制備 多孔 銅箔 方法 | ||
1.一種方波電化學蝕刻制備多孔銅箔的方法，其特征在于包括：
將硫酸配置成水溶液，其濃度為0.1mol/L，作為主蝕刻劑，并在其中加入抗壞血酸，抗壞血酸的濃度為2 mol/L；將配置好的酸性水溶液充分混勻后通入蝕刻槽中，蝕刻槽采用三電極反應形式，其工作電極為電解生成的無孔金屬銅箔，對電極為經過表面防腐抗氧化處理的金屬鈦板，參比電極為飽和甘汞電極；蝕刻槽中酸性水溶液溫度為40℃，方波電位上限為1.5V，下限為-0.2V，頻率為100Hz，反應600分鐘后制得多孔銅箔。
2.一種方波電化學蝕刻制備多孔銅箔的方法，其特征在于包括：
將鹽酸配置成水溶液，其濃度為0.5mol/L，作為主蝕刻劑，并在其中加入檸檬酸，檸檬酸的濃度為0.5 mol/L；將配置好的酸性水溶液充分混勻后通入蝕刻槽中，蝕刻槽采用三電極反應形式，其工作電極為電解生成的無孔金屬銅箔，對電極可為經過表面防腐抗氧化處理的金屬鈦板，參比電極為飽和甘汞電極；蝕刻槽中酸性水溶液溫度為80℃，方波電位上限為6.3V，下限為-5.5V，頻率為1000Hz，反應10秒后制得多孔銅箔。
3.一種方波電化學蝕刻制備多孔銅箔的方法，其特征在于包括：
將硫酸和鹽酸配置成水溶液，其總濃度為0.12 mol/L，作為主蝕刻劑，并在其中加入抗壞血酸和檸檬酸，抗壞血酸的濃度為0.1 mol/L，檸檬酸的濃度為0.2 mol/L；將配置好的酸性水溶液充分混勻后通入蝕刻槽中，蝕刻槽采用三電極反應形式，其工作電極為電解生成的無孔金屬銅箔，對電極可為經過表面防腐抗氧化處理的金屬鈦板，參比電極為飽和甘汞電極；蝕刻槽中酸性水溶液溫度為10℃，方波電位上限為0.2 V，下限為-2.6V，頻率為10Hz，反應30 min后制得多孔銅箔。
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