[發明專利]E/D NMOS基準電壓源及低壓差電壓調整器

在審

• 申請號: 201911388315.7
• 申請日: 2019-12-30
• 公開（公告）號: CN113126683A
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發明（設計）人: 胡永貴
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第二十四研究所
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 尹麗云

1.一種E/D NMOS基準電壓源，其特征在于，包括：

預基準源電路，包括N溝道結型場效應管，所述N溝道結型場效應管的柵極接地、漏極接電源電壓、源極輸出預基準電壓；

E/D NMOS基準源電路，與所述預基準源電路連接，接收所述預基準電壓并對外輸出基準電壓。

2.根據權利要求1所述的E/D NMOS基準電壓源，其特征在于，所述N溝道結型場效應管包括耗盡型的N溝道結型場效應管。

3.根據權利要求1或2所述的E/D NMOS基準電壓源，其特征在于，所述E/D NMOS基準源電路包括：

基準電壓啟動子電路，與所述預基準源電路連接，接收所述預基準電壓并對外輸出所述基準電壓；

基準電壓調節子電路，與所述基準電壓啟動子電路，對所述基準電壓進行調節。

4.根據權利要求3所述的E/D NMOS基準電壓源，其特征在于，所述基準電壓啟動子電路包括多個串聯的NMOS管，所述基準電壓調節子電路包括多個串聯的NMOS管。

5.根據權利要求4所述的E/D NMOS基準電壓源，其特征在于，所述基準電壓啟動子電路包括：第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管及第四NMOS管；所述第一NMOS管的漏極接所述N溝道結型場效應管的源極，所述第二NMOS管的漏極接所述第一NMOS管的源極，所述第三NMOS管的漏極接所述第二NMOS管的源極，所述第四NMOS管的漏極接所述第三NMOS管的源極，所述第四NMOS管的源極作為基準電壓輸出端；所述第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管及第四NMOS管的柵極接在一起，并接所述基準電壓輸出端；所述第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管及第四NMOS管的襯底接在一起，并接所述基準電壓輸出端。

6.根據權利要求5所述的E/D NMOS基準電壓源，其特征在于，所述第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管及第四NMOS管包括：耗盡型NMOS管。

7.根據權利要求6所述的E/D NMOS基準電壓源，其特征在于，所述基準電壓啟動子電路包括：第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管及第八NMOS管；所述第五NMOS管的漏極接所述基準電壓輸出端，所述第六NMOS管的漏極接所述第五NMOS管的源極，所述第七NMOS管的漏極接所述第六NMOS管的源極，所述第八NMOS管的漏極接所述第七NMOS管的源極，所述第八NMOS管的源極接地；所述第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管及第八NMOS管的柵極接在一起，并接所述基準電壓輸出端；所述第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管及第八NMOS管的襯底接在一起，并接地。

8.根據權利要求7所述的E/D NMOS基準電壓源，其特征在于，所述第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管及第八NMOS管包括：增強型NMOS管。

9.一種低壓差電壓調整器，其特征在于，包括權利要求1-8中任意一項所述的E/D NMOS基準電壓源。